莱特葳芯半导体将参加2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛

2023年7月26-28日，“2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛”将于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，西安交通大学、极智半导体产业网（www.casmita.com）、第三代半导体产业主办，西安电子科技大学、中国科学院半导体研究所、第三代半导体产业技术创新战略联盟人才发展委员会、全国半导体应用产教融合（东莞）职业教育集团联合组织筹办。论坛将围绕光电子器件与功率半导体器件设计、测试评价及应用等主题，邀请产业链相关专家、高校科研院所及知名企业代表共同深入探讨，追踪最新技术进展，分享前沿研究成果，携手促进国内功率与光电半导体器件技术与应用发展。

氮化镓功率晶体管具备较低的输入/输出电容与导通电阻，大大降低了开关损耗，在高频、高压、高功率密度应用领域极具优势。在应用上，氮化镓高的开关速度不可避免的引入了强EMI干扰，对器件的稳定工作和长期可靠性提出了较大挑战。随着数据中心、光伏逆变、车载电源、移动负载等对高能效电力变换需求的日益增长，智能化的氮化镓栅极驱动技术将推动氮化镓功率晶体管在高功率密度应用领域快速发展。

论坛期间，莱特葳芯半导体（无锡）有限公司CEO刘天奇将带来《智能化高频高压氮化镓驱动技术研究进展》的主题报告，分享最新技术研究成果，欲知具体进展，敬请期待。

刘天奇，物理学博士、清华大学博士后，现任澳门大学模拟与混合信号超大规模集成电路国家重点实验室博士后研究员，高级工程师职称，主要从事高压功率集成电路、高可靠集成电路与器件设计加固、可靠性等研究工作。近年来，先后主持和参与了国家自然科学基金、核高基国家重大专项、NSFC重大项目等研究课题，发表SCI与EI论文约60余篇，申请专利10余件。2022年创办莱特葳芯半导体（无锡）有限公司，专注于隔离与非隔离超高压驱动集成电路技术，推动先进GaN Module、高端IPM以及SiC应用技术快速发展与落地。

公开信息显示，莱特葳芯半导体（无锡）有限公司2022年成立，专注高压非隔离与隔离驱动芯片（HVIC）、Low-Side与High-Side驱动芯片、智能功率模块（IPM）、智能功率集成电路（SPIC）、直流无刷电机控制、电源与逆变器等技术产品的研发。此外，该公司可为不同类型功率晶体管匹配最佳驱动方案和控制方案，可打造高集成度、高可靠性、高能效、高感知能力的智能化驱动芯片，推动相关技术在新能源、汽车、家电、机器人、工业自动化等多领域的应用落地。2023年6月公司完成数千万天使轮融资，由无锡芯和投资、无锡市创投、无锡新投集团等联合投资。本轮融资资金主要用于高压栅极驱动芯片设计和研发，包括高压隔离、非隔离驱动技术，以及氮化镓、碳化硅等第三代功率半导体驱动技术。