闪存领域新突破，至讯创新重磅展出19nm 2D SLC NAND产品

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在7月11日慕尼黑上海电子展上，至讯创新科技（无锡）有限公司展出了基于19nm 2D SLC NAND闪存的全新量产产品，带来了存储行业在二维闪存芯片领域的最新突破。

这款全新产品提供了512Mb、1Gb和2Gb等多种容量规格选择，旨在满足工控、车规和消费等多个领域的需求。至讯创新通过精心研发，成功突破了19nm先进制程，为客户提供了卓越的性能和可靠性。

此款芯片不仅能够承受工业控制和汽车应用领域高达100,000次的擦写操作，确保数据的安全性和可靠性，同时还能满足消费电子领域对于高性价比的需求，提供消费级规格。

在展会上，至讯创新展出了搭载该款19nm闪存芯片的功能手机，穿戴产品和网络通讯产品等设备，演示了此产品在不同应用场景中的优异表现。

至讯创新深刻理解不同行业对于存储解决方案的差异性需求，因此，他们为这款19nm 2D NAND闪存产品提供了多样化的规格和容量选择，以满足各种复杂应用场景的需求。无论是追求工控系统高速读写，还是寻求车规行业极端温度环境下的稳定性，抑或是追求消费电子领域更高性价比和更快接口速度，至讯创新都能够为客户提供完美的解决方案。

在发布会现场，至讯创新董事长汤强博士表示：

我们非常自豪地推出这款全新产品，它代表着至讯创新在存储领域的重大突破。基于19nm 2D SLC NAND闪存的产品将为各行各业的应用提供更高性能和更可靠的数据存储解决方案，并且能为客户带来业界最优的成本。

他强调道：“我们的目标是为客户提供最优质的存储解决方案，助力他们应对日益增长的数据挑战。通过持续的创新和技术领先，推动行业的发展和进步。”

至讯创新一直致力于领导存储创新，为行业提供先进的存储技术和解决方案。通过这次基于19nm 2D SLC NAND闪存的产品的成功发布，至讯创新将持续为存储领域注入活力，引领存储行业创新。

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