台积电称不排除在日本生产先进制程IC 车载芯片进入3纳米时代

台积电在日本的记者会上表示，不排除在日本境内生产先进制程芯片。兴建中的熊本县晶圆厂，工程进度顺利，2023年内可完成办公室工程。

日本共同通信社（Kyodo）、电波新闻（Dempa）、PC Waych等报导，台积电于2023年6月30日在日本横滨举办针对记者的技术说明会中，台积电业务开发、海外营运办公室资深副总经理张晓强表示，关于自动驾驶技术等所使用的先进制程半导体，未来在日本生产的可能性并非为零。

张晓强并未谈到具体细节，例如可能在日本的何处设厂等，不过他透露，目前先集中资源在在熊本县菊阳町兴建中的晶圆厂，并确保在完工后能在高良率的情况下生产。

由于在日本举办技术说明会，因此会中花了许多时间介绍车载芯片。张晓强指出，目前车载芯片仰赖成熟制程，与手机、高效能运算（HPC）相比，采用2个时代之前的制程技术，不过之后随着电动化、ADAS、自动驾驶技术的发展，也将陆续采用最先进制程技术。

台积电的新技术平台Auto Early引进之后，车载芯片的设计将能够提前2年左右达到3纳米的技术，车载的客户将购与HPC、手机开发的同时期，以3纳米技术从事IC设计。

以台积电3纳米的N3E的制程技术为基础，车载的3纳米芯片将是N3AE（N3 Auto Early）制程技术的芯片，预计2024年开始生产，与N3P的生产同一年。

正式的车载芯片将先推出N3A，以制程设计包（Process Design Kit；PDK）的形式推出，以促进车载芯片的开发与投入市场。

此外，台积电日本子公司TSMC Japan社长小野寺诚表示，预定2024年内量产的熊本县菊阳町的12寸晶圆厂，工程进度顺利，预计2023年内可完工办公室，员工可以进入办公。