科林研发全球产品事业群资深副总裁 Sesha Varadarajan 表示:“在 3D 晶片制造世代,生产的过程复杂且成本高昂。基于科林研发专精的晶边创新,Coronus DX 有助于驱动可预测的制造和大幅提高良率,让以前不可实现的技术,可导入于先进逻辑晶片、封装和 3D NAND 生产制程。”
与 Coronus 晶边蚀刻技术互补,Coronus DX 让晶片制造商可采用新的元件结构。重复制程会导致残留物和微粗糙沿着晶圆边缘积聚,它们可能会剥落、漂移到其他区域并产生导致元件失效的缺陷。例如:在 3D 封装应用中,来自后段的材料可能会移转,并在未来的制程中成为污染源。晶圆边缘的轮廓塌边会影响晶圆接合的品质;制造 3D NAND 所需的长时间湿式蚀刻制程可能会导致晶圆基板的边缘造成严重损坏。
当这些缺陷不能被蚀刻掉时,Coronus DX 会在晶边沉积一层薄的介电保护层。精确和可调控的沉积有助于解决这些可能影响半导体品质的常见问题。CEA-Leti 半导体平台部门负责人 Anne Roule 表示:“CEA-Leti 运用其在创新、永续技术解决方案上的专业知识,帮助科林研发因应先进半导体制程方面的关键挑战。透过简化 3D 整合,Coronus DX 促使良率显著提升,使晶片制造商能够采用突破性的生产制程。”