【芯版图】蓄力碳化硅，40+项目更新与竞逐

集微网消息 近几年，第三代半导体产业发展如火如荼，在新能源汽车、光伏、工业电源等市场的催动下，迎来“爆发时刻”。SiC在新能源汽车领域被普遍看好，被认为是改变新能源汽车市场格局的重要力量，将带来效率提升、器件及整体系统尺寸降低、舒适度提升等优势。

爱集微咨询业务部资深分析师朱航欧指出：“目前国内SiC产线，大多供给工业及非车规级产品，大量高电压、高可靠性的车规级SiC功率芯片仍然依赖进口及国外代工厂。考虑到良率和产线的投产情况，SiC产能仍然十分紧缺。”

在电动汽车续航里程越来越长、充电时间越来越短的趋势下，基于硅的技术在尺寸、重量和电源效率方面逐步走向了物理极限，越来越多厂商转向碳化硅，特别是碳化硅在新能源汽车动力系统应用中的重要性愈发凸显。

据集微网统计，国内碳化硅产线的建设方向也以面向新能源汽领域为主，以6英寸为主力，投资项目则主要集中在广东、江苏、浙江、北京、上海、山东等省市。

集微网统计显示，已经超40个SiC相关项目于今年上半年取得了新进展，包括签约落地、新建产线、产能爬坡等，形成了碳化硅产业链高速发展的一幅缩影。

“排头兵”率先打入国际供应链

SiC晶圆产能贡献方面，根据数据统计，2022年Wolfspeed与II-VI（高意集团）占据全球产能供应大头。

值得注意是的，英飞凌与天科合达、天岳先进近期宣布“牵手”合作，预示着国内SiC打入国际供应链。两家国内厂商将为英飞凌供应6英寸SiC材料。

北京天科合达的“第三代半导体碳化硅衬底产业化基地”上榜《北京市2022年重点工程计划》，其产业化基地建设（二期）项目位列《北京市2023年重点工程计划》新建项目名单，为扩产项目。据其官方消息，第三代半导体碳化硅衬底产业化基地项目位于大兴区，总投资约9.5亿元，新建一条400台/套碳化硅单晶生长炉及其配套切、磨、抛加工设备的碳化硅衬底生产线，建成后可年产碳化硅衬底12万片。

近期，天科合达宣布将为英飞凌供应用于生产SiC半导体的6英寸碳化硅材料，其供应量占到英飞凌未来长期预测需求的两位数份额，并助力英飞凌向200毫米（8英寸）直径晶圆的过渡。

上海天岳半导体产业基地于2021年8月在上海临港开工，该项目建设单位上海天岳半导体材料有限公司为山东天岳先进的全资子公司。此前公开消息显示，上海天岳建设“碳化硅半导体材料项目”总投资25亿元，在达产年，形成年产导电型碳化硅晶锭2.6万块，对应衬底产品30万片的生产能力。

今年5月初，天岳先进与英飞凌签订了一项新的衬底和晶棒供应协议。根据协议，天岳先进将为英飞凌供应用于制造碳化硅半导体的高质量并且有竞争力的6英寸碳化硅衬底和晶棒，第一阶段将侧重于6英寸碳化硅材料，但天岳先进也将助力英飞凌向8英寸直径碳化硅晶圆过渡。

车规项目新进展不断，SiC产线待放量

此外，芯粤能、湖南三安等公司在碳化硅芯片领域的布局值得关注。

广东，芯粤能

吉利、芯聚能半导体等于2021年5月合资成立了广东芯粤能半导体有限公司。据悉，芯粤能碳化硅芯片生产线项目，位列《广东省2023年重点建设项目计划》投产项目，到2022年底已累计完成投资14亿元，2023年计划投资4.48亿元，用于土建，新增生产能力月产6英寸碳化硅芯片2万片，即24万片/年。

据悉，该项目总投资35亿元，建设月产能2万片的6英寸碳化硅芯片生产线，项目主要面向新能源汽车及相关应用领域的碳化硅芯片产业化。

6月17日，在第二届南沙国际集成电路产业论坛上，芯粤能董事长肖国伟表示，芯粤能碳化硅晶圆芯片生产线顺利进入量产阶段，包括1200V、16毫欧/35毫欧等一系列车规级和工控级碳化硅芯片产品，各方面测试数据良好，陆续交付多家主机厂和客户送样验证。目前已签约COT客户10余家，并即将完成4家客户规格产品量产。今年年底前完成月产一万片6英寸碳化硅晶圆芯片的产能建设。

福建，士兰明镓

士兰明镓SiC功率器件生产线建设项目位列福建《2023年度省重点项目名单》。根据士兰微最新投资者关系活动记录表披露，2023年士兰明镓将加快推进SiC芯片生产线建设进度，预计2023年年底将形成月产6000片6英寸SiC芯片的生产能力。

士兰微2月25日公布的《2022年度向特定对象发行A股股票预案(修订稿)》显示，士兰明镓项目SiC产品主要应用于新能源电动汽车电控模块。

据悉，2022年士兰明镓已着手实施“SiC功率器件芯片生产线”项目的建设，同年四季度，SiC芯片生产线已实现初步通线，并形成月产2000片6英寸SiC芯片的生产能力。根据此前公告，SiC功率器件生产线建设项目达产后将新增年产14.4万片SiC-MOSFET/SBD功率半导体器件芯片的生产能力。

湖南，三安半导体

湖南三安半导体有限责任公司投资建设的三安半导体产业园位列湖南《2023年省重点建设项目》名单，在扩建中。

公开消息显示，湖南三安半导体项目投资160亿元，分两期建设，项目一期主要包含碳化硅长晶、衬底、外延、芯片、器件封装等厂房及相关配套设施建设。2022年7月，该项目一期开工。

4月28日，三安光电发布2022年年报，其年报信息显示，湖南三安碳化硅产能已达12,000片/月，湖南三安二期工程将于2023年贯通，达产后配套年产能将达到36万片。据悉，其碳化硅衬底已通过几家国际大客户验证。

6月8日，三安与意法半导体集团在渝签署重庆市三安意法碳化硅项目合作协议。双方将在重庆建设一个新的8英寸碳化硅器件合资制造厂。新的SiC制造厂计划于2025年第四季度开始生产，预计将于2028年全面落成，届时将更好地支持中国的汽车电气化、工业电力和能源等应用日益增长的需求。同时，三安光电将利用自有SiC衬底工艺，单独建造和运营一个新的8英寸SiC衬底制造厂，以满足该合资厂的衬底需求。