喊出5年内技术超越台积电 三星先进制程蓝图、动态曝光

3纳米以下晶圆代工市场竞争越趋激烈，三星电子（Samsung Electronics）不仅喊出5年内以技术超越台积电，近日更于三星代工论坛中公布2纳米量产等规划，加上多家韩媒亦曝光三星3纳米制程动态，未来三星能否将目标化为现实，引起各界关注。

三星近日于美国硅谷举行2023年三星晶圆代工论坛，并宣布2025年三星将为移动设备量产2纳米制程（SF2）；接着2026年增加高效运算（HPC）；2027年则将进一步扩大至车用半导体领域，并将开始量产1.4纳米制程。据三星官方说法，相比三星第二代3纳米制程3GAP（SF3），SF2制程效能提高12%、功耗效率提高25%、面积减少5%。

而韩媒东亚日报消息指出，三星正在以稳定良率量产第一代3纳米GAA（SF3E）；第二代3纳米3GAP则顺利开发中，预定2024年进入量产。据悉，三星正在与移动、HPC等客户进行讨论，已有部分客户将以SF3为基础制作测试芯片等。

另据韩媒Dailian消息，三星持续投资矽智财（IP）、新增IP合作夥伴，如日前携手新思科技（Synopsys）、益华电脑（Cadence）、Alphawave Semi等企业，共同扩大IP投资组合。三星亦规划，到2024年上半为止，确保LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6、112G SerDes等SF2制程用的高速界面IP。

事实上，三星自2017年成立晶圆代工事业部，2019年抢先业界引入极紫外光（EUV）设备生产7纳米系统半导体；而自3纳米制程开始，三星欲以环绕式闸极（GAA）缩小与台积电之技术差距；到2纳米制程，三星则企图赶上、甚至是超车台积电。

从事业规模、市占率方面来说，现阶段三星晶圆代工事业部确实落后台积电，但三星欲从技术方面突破现况。三星半导体暨装置解决方案（Device Solutions；DS）部门负责人庆桂显先前自信表示，三星将在5年内以技术赶超业界第一名。

三星晶圆代工技术提升，亦有助于提升事业竞争力。根据市调机构Omdia预测，2023~2026年，全球晶圆代工市场的年均成长率将达12.9%；且晶圆代工市场成长动能将由5纳米以下的先进制程主导，2023年5纳米以下的晶圆代工销售额占比预估为24.8%，2026年有望进一步成长至41.2%；不仅如此，3纳米晶圆代工销售额占比则有望从2023年的8%，成长至2026年的24.4%，年均成长率达65.3%。

另一方面，三星为确保投资效率、弹性，持续在在韩国平泽、美国泰勒晶圆代工厂区推动「先盖厂房、延后装机」（Shell-First Strategy）策略，预计2027年三星清洁室规模将比2021年大7.3倍。据三星最新计划，韩国平泽P3产线将于2023年下半量产；美国泰勒第一条产线则将于2023年下半竣工、2024年下半投入使用。

不仅如此，三星还宣布携手三星先进晶圆代工生态系（Samsung Advanced Foundry Ecosystem；SAFE）夥伴，成立先进封装协议（Multi Die Integration Alliance；MDI），共同持续提升堆叠技术。较为特别的是，三星将针对HPC、车用电子等需求，开发差异化封装解决方案。

此外，为满足各种客户需求，三星也欲加强专业制程竞争力，如三星规划自2025年起生产8寸氮化镓（GaN）功率半导体，另外也看准6G通讯前景开发5纳米射频（RF）制程，预计2025年上半量产。