ASML和IMEC宣布共同开发high-NA EUV光刻试验线

集微网消息，钜亨网报道，比利时微电子研究中心 (IMEC) 、阿斯麦 (ASML) 于6月29日宣布，双方将在开发先进高数值孔径（High-NA）极紫外（EUV）光刻试验线的下一阶段加强合作。

据悉，签署的谅解备忘录包括在比利时鲁汶的IMEC试验线安装和服务ASML的全部先进光刻和测量设备，包括最新型号0.55 NA EUV（TWINSCAN EXE:5200）、最新型号0.33 NA EUV（TWINSCAN NXE:3800）、DUV浸没（TWINSCAN NXT:2100i）、Yieldstar光学测量和HMI多光束。

报道指出，这两家企业在光刻和测量技术方面的合作，与欧盟及其成员国的愿景及计划一致。因此IMEC和ASML的合作部分包含在一份IPCEI提案中，该提案正在荷兰政府进行审查。

ASML总裁兼首席执行官Peter Wennink表示，ASML在IMEC的先进试验工厂中作出重大承诺，以此推动欧洲半导体研究和持续创新。正如人工智能（AI）迅速扩展到自然语言处理、计算机视觉和自主系统等领域，任务的复杂性不断提高。因此，开发能够满足这些计算需求而不耗尽地球宝贵能源资源的芯片技术至关重要。（校对/王旭）