泛林推出全球首个斜角沉积解决方案：通过沉积保护膜提升芯片良率

近日，泛林推出了业界首款斜面沉积解决方案——CoronusDX，经过优化，可解决下一代逻辑、3DNAND和先进封装应用中的关键制造挑战。

随着半导体工艺不断缩微化，制造变得越来越复杂，在硅晶圆上构建纳米级器件需要数百个工艺步骤，不可避免会出现一些缺陷和损伤。而CoronusDX只需一个步骤即可在晶圆边缘的两侧沉积一层专有的保护膜，有助于防止先进半导体制造过程中经常出现的缺陷和损坏。

图源：泛林官网

这种强大的保护可以提高产量，并使芯片制造商能够实施新的前沿工艺来生产下一代芯片。CoronusDX是Coronus®产品系列的最新成员并扩展了泛林在斜角技术方面的领先地位。

泛林全球产品部高级副总裁SeshaVaradarajan表示：“在3D芯片制造时代，生产既复杂又昂贵。”“基于泛林在倒角创新方面的专业知识，CoronusDX有助于推动更可预测的制造并显着提高产量，为采用以前不可行的先进逻辑、封装和3DNAND生产工艺铺平了道路。”

如何实现芯片良率提升？

据悉，CoronusDX是对Coronus斜角蚀刻技术的补充，通过启用新的器件结构，将为芯片制造商提供一个高效的芯片良率提升的解决方案。

在芯片制造过程中，重复的处理层会导致残留物和粗糙度沿着晶圆边缘累积，其可能会剥落、漂移到其他区域，并产生导致半导体器件失效的缺陷。例如：

·在3D封装应用中，来自生产线后端的材料可能会迁移并成为未来加工中的污染源。晶圆边缘轮廓的滚降会影响晶圆键合质量。

·3DNAND制造中的长湿法蚀刻工艺可能会导致边缘处的基板严重损坏。

当这些缺陷无法被蚀刻掉时，CoronusDX在斜面上沉积一层薄薄​​的介电保护层。这种精确且可调的沉积有助于解决这些可能影响半导体质量的常见问题。

CEA-Leti半导体平台部门负责人AnneRoule表示：“CEA-Leti应用其在创新、可持续技术解决方案方面的专业知识，帮助LamResearch应对先进半导体制造的关键挑战。”“通过简化3D集成，CoronusDX显着提高了产量，并使芯片制造商能够采用突破性的生产工艺。”

专有工艺提升芯片产量

据悉，Coronus产品线于2007年首次推出，被每个主要半导体制造商使用，在全球安装了数千个腔室。泛林的Coronus产品系列是业界首个经过大规模生产验证的斜角技术。其Coronus和CoronusHP解决方案是蚀刻产品，旨在通过去除边缘层来防止缺陷。Coronus解决方案用于逻辑、内存和特种设备（包括尖端3D设备）的制造。CoronusDX目前正在全球领先客户工厂的大批量生产中使用。

从工艺表现来看，CoronusDX可实现一流的精密晶圆定心和工艺控制，包括集成计量，以确保工艺的一致性和可重复性。Coronus产品逐步提高晶圆产量，每个蚀刻或沉积步骤的产量额外提高0.2%至0.5%，从而使整个晶圆流程提高高达5%。每月运行超过100,000个晶圆的制造商可能会在一年内利用Coronus生产数百万个额外芯片——可能价值数百万美元。

日本Kioxia存储工艺技术主管HideshiMiyajima博士表示:“通过在斜角技术等领域的进步来提高生产过程中的质量，对我们向客户大规模提供下一代闪存的能力至关重要。我们期待继续与泛林及其Coronus解决方案合作，以实现领先的晶圆生产。”

本文内容参考泛林官网