韩国半导体材料拼自主 东进世美肯投入High-NA EUV光阻剂研发

东进世美肯（Dongjin Semichem）继成为韩国首度量产极紫外光（EUV）光阻剂（PR）的业者后，日前宣布将研发新一代的High-NA EUV光阻剂，以应对ASML量产High-NA EUV设备带来的相关需求。

根据韩媒ET News报导，东进世美肯近期制定High-NA EUV光阻剂研发蓝图，计划自2023年下半开始投入，目标最早于2025年上半完成研发，在ASML量产High-NA EUV设备前成功研发光阻剂。

High-NA EUV设备将数值孔径（NA）从原来的0.33提高到0.55，被视为实现2纳米以下制程的必要设备，且仅有ASML有能力供应，三星、SK海力士（SK Hynix）、台积电、英特尔（Intel）等全球主要半导体业者皆下订相关设备。ASML计划2024年首度出货High-NA EUV设备，并于2026~2027年量产。

东进世美肯计划在High-NA EUV市场正式开启前完成相关光阻剂产品商用化，以抢占市场。考量到High-NA EUV设备初期生产效率较低，及影响半导体良率的诸多变量，将推动多种High-NA EUV光阻剂的研发路线，如化学放大光阻（Chemically-amplified Resist；CAR）、金属层氧化光阻（MOR）等方式。

虽然目前韩国EUV光阻剂多数自日本等海外进口，但东进世美肯已于2022年首度实现EUV PR韩国本土化，并正式供应三星电子（Samsung Electronics）。2019年也成功研发日本对韩限制出口品项之一的氟化氩（ArF）光阻剂，在韩国半导体材料的本土化扮演重要角色。

本次东进世美肯宣布开始研发High-NA EUV光阻剂，也代表将与既有海外领先者信越化学（Shin-Etsu Chemical）、JSR、东京应化（TOK）等一决胜负。

东进世美肯相关人士表示，材料研发业者必须比零组件、设备业者提前6个月以上应对，才更有机会被半导体制造商或设备业者采用。由于新一代EUV设备尚未普及，且材料研发需要通过验证，将与客户、合作夥伴等确保测试机会，执行最适合High-NA EUV设备的光阻剂研发路径。