16nm制程技术升级版，台积电12nm到底有啥优势？

 台积电针对16纳米FinFET制程开发进入第四代，统称为12纳米制程技术，力旺开始配合12纳米开发相关的NeoFuse IP，继16纳米精简版FinFET制程后，台积电和力旺在先进制程上再度合作。

台积电16纳米制程经历16纳米FinFET、16FF+和16FFC三代技术，拿下苹果(Apple)、联发科、海思、赛灵思及NVIDIA等订单后，即将进入16纳米第四代制程技术，台积电也罕见地改变策略推出改版制程，也就是12纳米制程技术，吸引更多客户投单以提升12吋晶圆厂的产能利用率。

随着台积电进入12纳米制程世代，非挥发性嵌入式eNVM IP供应商力旺也配合台积电的12纳米制程开发NeoFuse IP。力旺指出，12纳米FinFET制程是16纳米FinFET系列的第四代，与前几代相比，12纳米具备更低漏电特性和成本优势，力旺和台积电已经从16纳米FinFET第一代一路配合到最新的第四代制程，在每一代制程平台上都布建NeoFuse IP。

此外，在16纳米精简版FinFET(16FFC)制程上，力旺也完成完成可靠度验证，且已有客户于产品中内嵌NeoFuse IP，并完成设计定案(Tape Out)。

力旺指出，16FFC制程和16纳米强效型FinFET(16FF+)制程相比，具有更符合主流市场需求的成本和低功耗的优势，获得许多终端应用的青睐，包括智能手机、消费性电子、穿戴式装置等，同时，力旺的NeoFuse IP除了广泛地被客户使用在16纳米精简型FinFET制程中，其写入时的耐热度更提升至125度，也使得操作更有弹性，并且可支持更高端的应用。

整体来看，力旺的NeoFuse IP在台积电的16纳米FinFET制程各世代的演进过程中，均率先完成可靠度验证，展现力旺在高端制程技术上的开发能力，以及与台积电的稳固技术伙伴关系。