SK海力士加速存储器技术研发 盼2H23成果显现

SK海力士（SK Hynix）虽然因存储器市况不佳冲击业绩，仍加速DRAM、NAND Flash等技术研发，致力与三星电子（Samsung Electronics）、美光（Micron）等主要业者竞争。

韩媒Chosun Biz引述业界消息指出，SK海力士正准备量产10纳米级第五代服务器用DDR5 DRAM，有望成为其新事业发展主力。证券业界指出，SK海力士服务器用DRAM营收中，2023年第1季DDR5销售占比约为25%，第2季有望达到40%，并于下半年突破50%。

2023年1月，SK海力士10纳米级第四代（1a）DDR5服务器DRAM率先获得英特尔（Intel）认证，2023年5月宣布完成10纳米级（1b）DRAM研发，同样进入英特尔的服务器平台「Xeon Scalable」兼容性认证流程。

值得注意的是，由于SK海力士是全球三大DRAM业者中唯一获得英特尔认证的业者，估计将成为扩大服务器用DDR5市场的重要跳板。半导体业界相关人士表示，由于英特尔服务器用中央处理器（CPU）市占率高达90%，获得英特尔的认证对于SK海力士DRAM事业发展至关重要。

在NAND领域，SK海力士也加快新技术的研发，于2023年6月初宣布238层NAND Flash量产，为当前业界最高堆叠层数，正与海外智能手机客户公司进行产品认证流程。主要竞争业者三星及美光，当前量产产品最高堆叠层数分别为236层及232层。

因ChatGPT等人工智能（AI）服务受到关注的高带宽存储器（HBM）领域，目前也由SK海力士主导市场，于2023年4月宣布成功研发垂直堆叠12颗DRAM芯片、实现业界最大容量24GB的HBM3。

据市调业界推估，2022年SK海力士在全球HBM市场市占率已达50%，且2023年有望持续扩大。目前SK海力士HBM营收仅占总营收的10%，估计2024年比重将提高到20%以上。

SK海力士相关人士表示，面对存储器寒冬及自2022年第4季开始的减产措施，公司市占率和营收、营业利益等主要营运指标受到冲击，但技术竞争力将不受到影响，期待技术转型及研发投入，在2023年下半展现成果。