惊艳亮相嵌入展，东芯打造存储应用新场景

来源:半导体行业观察发布时间:2023-06-151058浏览

根据CFM闪存市场的数据，2022年全球存储市场规模同比下降15%，达到1392亿美元，其中NAND Flash为601亿美元，DRAM为791亿美元，均有不同程度的下滑。

这也导致了今年存储市场丝毫没有温和的感觉，市场竞争依旧激烈，大到三星海力士，小到国内各企业，都在为业绩发愁，忙碌奔波在订单和定价之间。

不过，虽然PC和智能手机等产品销量一路走低，但AI产业持续火热，新能源汽车不断发展，相信存储行业在熬过近一年时间的寒冬后，能在下半年迎来新一轮的朝阳。

对于国内存储企业来说，竞争中往往蕴藏着新的机遇，抓住机遇顺势而起，才能在国产替代中取得先机，而这一份先机，往往只属于有充足准备的企业。

专注于中小容量NAND、NOR、DRAM的东芯半导体，近日就携多款旗下存储产品与应用，亮相上海国际嵌入式展，为大家展示了它在技术领域的最新积累。

全面布局存储市场

成立于2014年的东芯半导体，经过7年的发展，目前已是国内少数同时具备NOR Flash、NAND Flash和DRAM存储器产品的公司。在2022年地缘政治局势紧张、全球经济下滑、半导体周期性波动等情况下，其依旧交出了一份表现不错的年报。

4月14日，东芯半导体股份有限公司发布了2022年度业绩报告。报告显示，在2022财年，公司实现营业总收入11.46亿元，同比增长1.03%。归属于上市公司股东的净利润为 1.85 亿元，而扣除非经常性损益后的净利润为1.65亿元。

目前，AI、自动驾驶、元宇宙等数据密集型应用技术不断涌现，市场的火热正引发着新一轮数据存储的发展浪潮，这对于存储企业而言，是寒冬里照进来的第一缕曙光，也是一场即将到来的巨大机遇。

面对这场难得的机遇，东芯选择了持续加大研发投入，将技术创新作为公司最主要决策之一。2022年，东芯在研发上共投入1.10亿元，同比增长47.46%，占当期营业收入9.63%，而研发与技术团队规模达到 130 人，数量上较去年同期上涨 49.43%。

在三个不同的存储领域中，东芯已经有了丰富的研发成果。NAND Flash方面，先进制程的 1xnm NAND Flash 产品已完成首轮晶圆流片及首次晶圆制造，并已完成功能性验证；NOR Flash方面，目前512Mb、1Gb 大容量 NOR Flash 产品都已有样品可提供给客户，55nm NOR Flash产线已完成首次晶圆流片；DRAM方面，公司设计研发的 LPDDR4x 及 PSRAM 产品均已完成工程样片并已通过客户验证。

此外，在近年来重要性愈发突出的车规级领域中，东芯也在积极推动研发与后续产品的落地。

“基于中芯国际 38nm 工艺平台的 SLC NAND Flash 以及基于力积电 48nm 工艺平台的 NOR Flash 均有产品通过 AEC-Q100 测试，可以适用于要求更为严苛的车规级应用环境。”东芯在财报中强调。

事实上，在东芯积极研发的背后，是一个囊括了SLC NAND、NOR、DRAM等产品的完整存储布局，东芯凭借对产品下游应用细分市场需求的精准分析，最大程度地发挥出自身已推出产品的优势。

值得注意的是，东芯目前的产品销售还采用“经销、直销相结合”的模式。经销模式下，公司与经销商之间采用买断式销售；直销模式下，终端客户直接向公司下订单。在经销模式下，作为上下游产业的纽带，经销商在开拓市场、提供客户维护、加快资金流转等方面具有优势，二者互相结合，有效带动了东芯的销售增长。

与行业中同类存储企业相比，从NAND、NOR再到DRAM的全面横向布局让东芯在成熟产品的细分市场实现了填补和替代效应，与其他企业形成了差异化竞争。

产品广泛落地应用

在今年的 Embedded World嵌入式展上，东芯带来了多款最新研发的存储产品，还展示了其在下游领域如 5G、物联网、网络通讯、安防监控等市场中的实际应用案例。

首先是NAND。据东芯介绍，这款SPI NAND Flash采用了单芯片设计的串行通信方案，引脚少、封装尺寸小，且在同一颗粒上集成了存储阵列和控制器，并带有内部ECC模块，使其在满足数据传输效率的同时，既节约了空间，又提升了稳定性。而PPI NAND Flash不仅兼容传统的并行接口标准，还具备高可靠性，可以满足各种使用场景。

东芯SPI NAND Flash

NOR方面，东芯所展示的SPI NOR Flash，可以提供通用SPI接口，有64Mb到1Gb的多种容量规格，支持1.8V/ 3.3V双电压，还采用了Single/Dual/Quad SPI和QPI四种指令模式、DTR传输模式和多种封装方式，同样可以广泛应用于各种应用场景。

东芯SPI NOR Flash

针对DRAM领域，东芯在本次展会上带来的DDR3（L）产品具备高传输速率以及低工作电压这两大特点，同时提供1.5V/1.35V两种电压模式，具有标准SSTL接口、8n-bit prefetch DDR架构和8个内部bank的DDR3 SDRAM，在网络通信，消费电子，智能终端，物联网等领域都有广泛应用。

东芯DRAM

本次嵌入展上，东芯的MCP系列产品也一同亮相。东芯表示，MCP系列产品具有NAND Flash和DDR多种容量组合，且Flash和DDR均为低电压的设计，核心电压1.8V可满足目前移动互联网和物联网对低功耗的需求。

东芯MCP

据了解，MCP可将Flash和DDR合二为一进行封装，简化走线设计，节省组装空间，高效集成电路，提高产品稳定性，已经是便携式电子产品内置内存产品最主要的规格。目前数字电视、机顶盒、网络通信产品等均已开始采用各式MCP产品，而东芯的MCP产品双低电压的设计更是让它在一众产品中脱颖而出。

在展会现场，东芯针对不同应用领域划分了多个区域，让参观展会的观众更直观地了解到东芯针对消费电子、安防监控、工业控制、网络通讯、汽车电子等热门领域所推出的对应产品和实际应用，展露出了公司研发与应用齐头并进，致力于为客户提供更高品质的存储产品及解决方案。

需求即机遇

现阶段，国内市场对于存储芯片的需求依然在扩大，但对国外存储厂商的依赖和自给率不足始终困扰着整个行业，而国产存储芯片在如今的寒冬中，更需要逆势而起抓住机遇，凭借成本优势、技术性能等在市场站稳脚跟。

而东芯半导体作为国内极少数同时具备NOR Flash、NAND Flash和DRAM存储器产品的公司，拥有独立自主的知识产权、稳定的供应链体系、高可靠性的产品，再加上广阔的应用场景，在目前的趋势下，相信东芯大有可为。

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