恩智浦推出用于射频功率的顶部冷却技术

新的射频功率封装技术使无线电产品更小、更薄、更轻

恩智浦半导体宣布推出基于GaN的顶部冷却射频放大器模块系列，该模块基于封装创新，旨在为5G基础设施提供更薄、更轻的无线电产品。

该公司表示，这些模块不仅有助于将无线电产品的厚度和重量减少20%以上，还有助于减少5G基站制造和部署的碳足迹。

恩智浦无线电功率副总裁兼总经理Pierre Piel表示，“顶部冷却技术为无线基础设施行业提供了一个重要机会，它将高功率能力与先进的热性能相结合，以实现更小的射频子系统。这项创新为部署更环保的基站提供了解决方案，同时还达到了能实现5G的全部性能优势所需的网络密度。”

恩智浦新推出的顶部冷却器件据说有许多优势，包括专用射频屏蔽的去除，高性价比和流线型的PCB的使用，以及热管理与射频设计的分离。

恩智浦首个顶部冷却射频功率模块系列是为32T32R，200W无线电产品设计的，覆盖3.3GHz至3.8GHz的频率范围。这些器件结合了公司内部的LDMOS和GaN半导体技术，在具备宽带性能的同时，可实现高增益和高效率，在400MHz瞬时带宽上提供31dB增益和46%的效率。

A5M34TG140-TC、A5M35TG140-TC和 A5M36TG140-TC产品现已上市。恩智浦的RapidRF参考板系列将为A5M36TG140-TC提供支持。

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