三星前高层涉嫌窃密 建厂失败但已开始生产样品

三星电子（Samsung Electronics）和SK海力士（SK Hynix）前高层，涉嫌窃取半导体核心技术，并试图于国内复制三星半导体工厂。虽然已被查获并起诉，但其旗下国内公司的研发单位已透过相关技术开始生产样品，引发韩国业界对于半导体技术外流的担忧。

综合韩联社、Edaily等韩媒报导，曾任三星、SK海力士半导体事业高端主管的崔某，日前以违反〈产业技术保障法〉及〈不正当竞争防止法〉等嫌疑遭到起诉，其创立的半导体公司旗下5位员工及1位三星合作企业职员等共6人也遭到不拘留起诉。

据悉，崔某任职于三星超过18年，曾担任存储器生产中心负责人、存储器制造本部长，其后于SK海力士担任社长，更一度成为SK海力士社长候选人，为韩国半导体制造领域权威。然而，崔某涉嫌于2018~2019年非法获取、使用三星半导体工厂基本工程数据（Basic Engineering Data；BED）、制程流程图、设计图等。

半导体工厂BED为设置无尘室的关键技术，制程流程图则记录半导体生产八大核心制程的配置、面积等信息，上述机密数据将可用于生产「30纳米以下DRAM和NAND Flash」。传崔某等人计划于国内复制三星半导体工厂，且距离三星西安半导体厂仅1.5公里，不过因某台湾业者向崔某承诺的8万亿韩元（约62.8亿美元）投资未实现，最终并未成功设厂。

然而，传崔某2020年4月自国内成都获得4,600亿韩元的投资并成立半导体公司，韩媒指出该公司即为一度传出收购格罗方德（GlobalFoundries）成都厂、拥有43项半导体相关专利的高真科技。据悉，高真科技半导体研发工厂于2022年竣工，目前已开始生产采用三星半导体技术的样品。韩国检察机关推估，三星至少蒙受3,000亿韩元规模的损失。

业界指出，韩国半导体业界正面临史无前例的危机，不仅存储器等市况持续不景气，且受困于中美贸易纷争下的地缘政治风险中，曾任职于三星、SK海力士的前高层更试图将工厂复制至国内，也让韩国业界意识到通盘检讨技术外流防止、惩戒等机制的重要性。