3.3kV SiC准备好成为主流了吗？
来源:宽禁带半导体技术创新联盟发布时间:2023-06-053927浏览
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- “为了实现高达10kV的MOSFET，快速、高质量的外延解决方案是关键，这样就可以以合理的成本生产高达100微米的厚漂移区域。”
- “开发高压SiC设备的一个主要考量因素是其终端的设计，即围绕有源载流中心的设备的无源区域。”
- “1200V MOSFET的终止可能会使用一个植入阶段来实现，以创建场环结构；它将占用不超过50A芯片的4%。在高压下需要更复杂的结端扩展，通常需要两个植入物才能有效，并且可以占据10kV, 50A芯片面积的30%。”
图1：3.3 kV MSC080SMA330 SiC MOSFET有源阵列的扫描电镜图像。图2显示了具有一组保护环的终端区域，从MOSFET阵列边缘到芯片边缘的空间逐渐增加。该区域宽270μm，占整个模具面积的18.75%。另外，请注意30μm厚的SiC外延区。
图2：3.3 kV MSC080SMA330 SiC MOSFET终端区域的扫描电镜图像。
表1总结了TechInsights迄今为止对市售3.3 kV SiC MOSFET关键指标的分析。
表1：市售3.3 kV SiC MOSFET的关键指标
[1] 博客-Prospects for Commercial High Voltage Silicon CarbideDevices: https://library.techinsights.com/reverse-engineering/blog-viewer/1612#name=Power%2520Semiconductor
[2]报告- GeneSiCG2R120MT33J 3300V 120 mΩ SiC MOSFET Power Floorplan Analysis: https://library.techinsights.com/reverse-engineering/a6rf3000000PDbhAAG/analysis/a6pf3000000Cg8IAAS/analysis-view/PFR-2102-801#sidebar=true
[3] 报告- MicrochipTechnology MSC080SMA330 SiC MOSFET Power Floorplan Analysis： https://library.techinsights.com/reverse-engineering/a6rf3000000PDbhAAG/analysis/a6pf3000000Cg8IAAS/analysis-view/PFR-2205-802#sidebar=true
[4] 博客 - PCIM Europe 2023 – Product Announcements and Highlights： https://library.techinsights.com/reverse-engineering/blog-viewer/628074#name=Power%2520Semiconductor
[5] https://www.infineon.com/cms/en/about-infineon/press/market-news/2023/INFGIP202305-105.html
[6] https://www.wolfspeed.com/3300v-lm-silicon-carbide-half-bridge-power-modules/
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