传台积电已启动2nm试产前置作业，目标今年试产近千片

集微网消息，台积电近期启动2nm试产前置作业，将搭配导入最先进AI系统以节能减碳并加速试产效率。据台媒经济日报报道，台积电2nm研发初期会先在竹科建立小量试产生产线，目标今年试产近千片，试产顺利后，将导入后续建置完成的竹科宝山晶圆20厂，由该厂团队接力冲刺2024年风险试产与2025年量产目标。

据报道，苹果、英伟达等大厂都有望成为台积电2nm量产后首批客户。台积电表示不评论相关传闻，强调2nm技术研发进展顺利，预计2025年量产。

6月4日，台积电表示不评论相关传闻，强调2nm技术研发进展顺利，预计2025年量产。消息人士透露，台积电因应2nm试产前置作业，内部也开始调度工程师人力到竹科研发厂区做准备，预计召集千人以上的研发部队，在竹科宝山晶圆20厂领先全球量产2nm。台积电未来最先进的2nm生产基地会先落脚竹科宝山晶圆20厂，该厂区为四期规划，后续并将扩至中科，共计有六期的工程。

据悉，台积电目前已量产的先进半导体技术为FinFET场效应管架构，路线图展示，下一代为采用纳米片结构的GAAFET（全环绕栅极场效应管），可以用于3nm以下制程。台积电表示，未来即将应用的2nm N2工艺节点，将使用GAAFET结构。据此前报道，ASML的这款光刻机已经在研发制造过程中，预计台积电将于2024年率先获得High-NA EUV光刻机，可用于2nm制程GAAFET架构芯片生产。

（校对/赵月）