华裔科学家的突破：不要EUV光刻机，让1nm以下的芯片自己长出来

目前芯片制造领域的技术，主要就是光刻技术。

而光刻技术下，光刻机的分辨率就决定了芯片的工艺，比如7nm以下的芯片，必须用到EUV光刻机；而7-45nm的芯片，使用浸润式光刻机；这些都是与精度一一对应的。

后来佳能想搞NIL纳米压印技术，像我们日常见到的打印机打印图纸的技术一样，把芯片的电路图，直接打印到硅晶圆片上去。这种技术，不需要光刻机，也能实现7nm以下，但进度不太理想，目前还停留在65nm以上工艺。

但是，不用光刻机，生产芯片的梦想，科学家们一直有，甚至也一直在努力，想让它变成现实。而在中国，网友们做梦都希望有一天，能够不使用EUV光刻机，就能够生产7nm以下的芯片，这样我们就不怕被美国和ASML卡脖子了。

但要实现这个梦实在是太难了，之前欧洲提出了一种技术，叫DSA自生长技术，就是用一种新型材料，直接在硅晶圆上按照电路图，把不要的部分腐蚀掉……

但直到目前，依然还只是概念、理论性的阶段，没有什么实质性的进展。

而近日，有一位华裔科学家，在这种芯片自生长技术上，又有了新的突破。

麻省理工学院（MIT）的华裔科学家朱家迪领军的原子级晶体管研究于 4 月取得突破。

这个项目采用气象沉淀逐层堆叠工艺生产，不再需要使用光刻机，即可生产出一纳米甚至以下制程的芯片。

这种技术，一方面是提出一种新的二维半导体晶体管技术，这种二维半导体晶体管尺寸缩小到只有目前的千分之一大小，且功耗也只有目前的千分之一。

另外一方面，是有一种新的材料，叫做金属二硫化物 (TMD) 材料层，这种材料可以直接“生长”到硅晶圆上，让二维半导体晶体管不需要光刻，就直接长出来了。

所以它的基础，还是之前欧洲提出来的那种DSA自生长技术，只是晶体管技术、材料技术变了，离量产实现，又近了一步。

当然，话又说回来，这种高科技技术，从理论提出，到原型确定，再到最终量产，可能需要很久，也许几年，也许十几年，也许几十年，所以想要短时间内就实现不太现实。

所以，让子弹先飞一会，大家先别高兴的太早，更不要自嗨，先当一个新闻看看热闹就好。不过，假如这种技术能够真正的量产，那么全球芯片产业的格局都会被改变，对中国芯片产业绝对是大利好。

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