宜普向美国ITC起诉英诺赛科侵犯其氮化镓技术专利，并要求禁售

5月25日消息，氮化镓（GaN）技术厂商普电源转换公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC，以下简称“宜普公司”）于今日向美国联邦法院和美国国际贸易委员会（U.S. International Trade Commission, ITC）提起诉讼，主张其基础专利组合中的四项专利受到英诺赛科（珠海）科技有限公司及其子公司（以下统称“英诺赛科”）侵犯。

据介绍，这些专利涉及宜普公司独家的增强型氮化镓功率半导体器件的设计与制造工艺的核心环节，且这些创新技术专利已成功将基于氮化镓的功率器件从一个研究项目，发展成为一个可大批量生产的替代硅产品。使用氮化镓器件的晶体管和集成电路，较使用硅基器件而言更高效，更轻巧且成本更低。

宜普公司位于美国加利福尼亚州的埃尔塞贡多（El Segundo），正在将氮化镓从科学探索转变为一种被广泛接受的技术，并提高了能源使用效率。宜普公司于 2010 年开始制造第一批大规模生产的商用氮化镓晶体管和集成电路。自此，该公司成为业内公认的氮化镓产品和服务的领导者。

在本次所提交的起诉状中，宜普公司详述了总部位于中国广东的英诺赛科公司招募两名宜普公司员工并担任其首席技术官和销售及市场主管的相关细节。宜普公司指控两人入职英诺赛科后不久，英诺赛科便推出了一套与宜普公司明显相同的产品，英诺赛科还自称其产品在关键性能指标上的表现与宜普公司产品几乎相同。近期，英诺赛科又宣称其许多产品与市场上现有产品（包括宜普公司的产品）“完全兼容"。此外，英诺赛科还策划了大胆而积极的营销活动，向宜普公司的客户推销其产品套件。

宜普公司联合创始人兼首席执行官 Alex Lidow 博士表示，“我一直坚信公平合作是全球科技市场的根基。只有通过合作，我们才能释放氮化镓技术的潜力，支持世界能源安全，并助力可持续发展目标的实现。而对知识产权的有力保护和充分尊重，是相互信任和公平合作的必要条件。”

“我相信，通过此次果断的行动，我们将找到一个公平合理的解决方案，为氮化镓这一关键新兴技术的所有参与者，提供一个公平的竞争环境，并确保氮化镓产业生态的良好运作，” Lidow 博士补充道。

宜普公司向联邦法院和美国国际贸易委员会起诉英诺赛科公司专利侵权、寻求损害赔偿，并希望能够禁止英诺赛科公司将其构成侵权的氮化镓产品套件进口至美国。

取代硅：氮化镓与电力转换的未来

氮化镓（GaN）是下一代电源转换技术，有望在未来十年内取代硅基功率半导体。与硅基半导体相比，氮化镓是更小、更高效、更可靠，并能以更低的成本表现出更良好的性能。其应用范围从计算、汽车、太阳能、机器人、无人机、医疗电子和激光雷达到日常产品，如手机、音响设备、智能电器、电动工具、快速充电器和电动自行车。

氮化镓技术有望将全球能源效率提高 15-20%，这将有助于降低能源成本、减少有害排放，并支持美国的能源安全和可持续发展目标。专家预测，在未来两到三年内，氮化镓市场将达到数十亿美元的规模，并在未来十年内达到约数百亿美元的峰值。

宜普电源转换公司

宜普电源转换公司是全球氮化镓技术和产品的领导者。这一领先地位基于其卓越的技术：宜普公司于 2010 年推出了首款氮化镓产品，目前拥有 57 项美国专利和 172 项全球专利。宜普公司现有100 多种集成电路（Integrated Circuits, ICs）和分立晶体管，可随时交付，产品性能也一直优于竞争对手。

宜普公司的联合创始人兼首席执行官 Alex Lidow 博士被公认为是现代电力转换行业的创始人之一， 其名 下拥有 21 项 半 导 体 技 术 专 利。Lidow 博 士的职 业 生 涯 始 于 国 际 整 流 器 公 司（International Rectifier Corporation, IR），他曾在该公司任研发副总裁，后于 1995-2007 年担任首席执行官。此外，他也曾代表美国半导体行业协会（International Rectifier Corporation,SIA）参加了促成1986年美日半导体协议的贸易谈判，并多次代表半导体行业向国会作证。2015年，他凭借将更高效的功率器件商业化，获北美SEMI 奖，并在2019年入选IEEE名人堂。Lidow博士最为出名的经历是作为 HEXFET 功率 MOSFET 的共同发明者。该技术使全球能源效率提高了30%，并创造了价值 400 亿美元的全球市场。目前， Lidow 博士和宜普公司准备通过氮化镓技术，替代他在 40 多年前创造的技术。