台积电公布架构路线图，展现下一代GAAFET、CFET场效应管技术

集微网消息，据外媒AnandTech消息，台积电在2023欧洲技术研讨会活动中，展示了下一代半导体架构的路线图，其中最先进的场效应晶体管架构为CFET，官方表示该技术已经在实验室中进行研究，取得了一些进展，但距离规模应用还有较长一段时间。在路线图上，还出现二维晶体管、碳纳米管技术，不过这些技术过于遥远。

集微网此前报道，英特尔也在不久前公布了半导体工艺路线图，展现了类似的CFET堆叠式场效应管架构，可以应用于1nm以下制程。

目前已量产的先进半导体技术为FinFET场效应管架构，根据路线图展示，下一代为采用纳米片结构的GAAFET（全环绕栅极场效应管），可以用于3nm以下制程。台积电表示，未来即将应用的2nm N2工艺节点，将使用GAAFET结构。

而更先进的CFET场效应管架构，将n型和p型MOS元件堆叠在一起，最多可以垂直堆叠8个纳米片。该结构与英特尔此前发布的CFET结构类似，代表着未来尖端半导体制造业的发展方向。

台积电高级副总裁Kevin Zhang表示，该公司正研究不同的技术方案，有各种技术进行备选，但现阶段无法明确哪种架构会比GAAFET更优秀。他表示，“考虑到FinFET技术已使用了5年时间，那么下一代GAAFET可能也会应用数年，至少会发展几代。至于CFET，能够量产应用的时间将会更长。”

尽管技术路线图已展示了较为清晰的发展方向，但需要注意的是，更小的结构意味着光刻机的精度需要更进一步提升，只有ASML下一代High-NAEUV光刻机才可以实现。据此前报道，ASML的这款光刻机已经在研发制造过程中，预计台积电将于2024年率先获得High-NA EUV光刻机，可用于2nm制程GAAFET架构芯片生产。

（校对/张杰）