日本对半导体设备出口管制（附23类设备汇总）

5月23日下午据日本经济新闻报道，日本经济产业省公布外汇法法令修正案，正式将先进芯片制造设备等23个品类纳入出口管制，该管制将在7月23日生效。

来源：日本经济新闻（译）

日本经济产业省发布的清单涉及清洗、成膜、热处理、曝光、蚀刻、检查等23个种类，包括极紫外（EUV）相关产品的制造设备和三维堆叠存储器的蚀刻设备等。

报道称，虽然中国和其他特定国家和地区未被明确列为受监管对象，但新增的23个项目将需要单独许可证（即出口至任何国家地区均需要单独获得许可），这给对中国和其他国家的出口带来了实际困难。“美国严格限制尖端半导体制造设备对华出口，日本紧随其后。”

联合国国际贸易中心的统计显示，日本2021年向中国本土出口的制造设备达到约120亿美元，金额占出口到全世界的设备的近4成，在所有地区中最高。出口额是美国对华设备出口的近2倍。

日本在半导体市场的份额已从1980年代末的50%下降至目前的10%左右，但仍拥有一些领先的芯片制造设备制造商。美国在去年10月对向中国出口芯片制造设备实施了限制，以减缓其芯片业乃至军事的发展，并一直在寻求主要芯片制造同行荷兰和日本的合作。

日本政府今日表示，计划限制23种半导体制造设备的出口，以配合美国遏制中国制造先进芯片能力的举措。日本贸易和工业部长在一份新闻稿中表示，将对用于芯片制造的六类设备实施出口管制，包括清洁、沉积、光刻和蚀刻等。但没有指名中国为这些措施的目标，称设备制造商将需要为所有地区寻求出口许可。

日本半导体制造设备供应商（附23类设备汇总）。

东京电子

东京电子（Tokyo Electron）是全球第三大半导体制造设备供应商，仅次于美国的应用材料和荷兰的ASML。它还生产面板显示器制造设备。去年10月-12月，东京电子在中国的芯片设备销售额同比下降22.3%至1027亿日元，占该季度芯片设备总销售额的22.4%。该公司在去年11月将其截至2023年3月的全年销售预期下调了2500亿日元（18.8亿美元），即10.6%，部分原因是美国收紧了对中国的出口限制，后来其收入预期上调了700亿日元。今年2月份，该公司高管在财报会上表示，“由于担心随着国际贸易壁垒的提高无法获得设备，许多中国公司正在加快投资计划并要求将交货时间提前。”

爱德万测试

爱德万测试（Advantest）是一家芯片测试设备制造商，成立于1954年，为全球的半导体产业提供自动化测试设备和一体化的测试技术解决方案，与总部位于美国的泰瑞达（Teradyne）展开竞争。中国是爱德万测试在10月至12月的最大市场，占该季度全球销售额的32.9%。爱德万测试的一位高管1月份表示，“我们认为美国对中国的出口限制直接阻止我们销售我们的测试仪的风险很小。然而，我们可能会受到间接影响，因为这些限制会停止供应其他公司的生产设备，促使我们的客户重新审视他们的商业计划。”

SCREEN

成立于1943年SCREEN是全球第六大的半导体设备厂商，公司主要提供包括清洗机、蚀刻、显影/涂布等。其中，清洗设备在过去多年来一直稳居半导体行业龙头的位置。该公司预计，截至 3月份的一年中，对中国的出货量将占芯片制造设备销售额3750亿日元的20%。该公司曾表示，对中国的销售可能会受到美国出口限制的影响，但任何下降都可能被其他地方更高的需求所弥补。

尼康公司

尼康生产深紫外光刻机，这是仅次于极紫外光刻机的第二先进的芯片微型电路系统。在上世纪末尼康是当之无愧的光刻机巨头，从80年代后期至本世纪初，尼康光刻机市场占有率超50%。尼康在截至2022年3月的财年中约占中国总销售额的28%，约40%的销售额来自其光刻机业务。尼康首席财务官Muneaki Tokunari在2月9日的财报简报会上表示，随着公司向中国出口“一定数量”的产品，尼康将密切关注事态发展。

Lasertec

Lasertec 是世界上唯一一家使用极紫外掩模光刻技术的半导体检测设备制造商。Lasertec专注于设计和开发，将生产的大部分委托给外部，其“轻工厂”（fab-light）的优势扩大了收益。这家芯片测量制造商在中国的销售额占其全球销售额的不到10%。Lasertec表示，由于该公司在中国的销量较小，出口限制将对该公司产生“有限、微不足道的影响”。

热处理相关（1类）

在0.01Pa以下的真空状态下，对铜（Cu）、钴（Co）、钨（W）（任何一种元素）进行回流（Reflow）的“退火设备（Anneal）”。

检测设备（1类）

EUV曝光方向的光掩膜版（Mask Blanks）的检测设备、或者“带有线路的掩膜”的检测设备。

曝光相关（4类）

1.用于EUV曝光的护膜（Pellicle）。

2.用于EUV曝光的护膜（Pellicle）的生产设备。

3.用于EUV曝光的光刻胶涂覆、显影设备（Coater Developer）。

4.用于处理晶圆的步进重复式、步进扫描式光刻机设备（光源波长为193纳米以上、且光源波长乘以0.25再除以数值孔径得到的数值为45及以下）。（按照笔者的计算，尼康的ArF液浸式曝光设备属于此次管控范围，干蚀ArF以前的曝光设备不在此范围。）

干法清洗设备、湿法清洗设备（3类）

1.在0.01Pa以下的真空状态下，除去高分子残渣、氧化铜膜，形成铜膜的设备。

2.在除去晶圆表面氧化膜的前道处理工序中所使用的、用于干法蚀刻（Dry Etch）的多反应腔(Multi-chamber)设备。

3.单片式湿法清洗设备（在晶圆表面性质改变后，进行干燥）。

蚀刻（3类）

1.属于向性蚀刻 (Isotropic Etching)设备，且硅锗（SiGe）和硅（Si）的选择比为100以上的设备；属于异向性(Anisotropic Etching)刻蚀设备，且含高频脉冲输出电源，以及含有切换时间不足300m秒的高速切换阀和静电吸盘（Chuck）的设备。

2.湿法蚀刻设备，且硅锗（SiGe）和硅（Si）的蚀刻选择比为100以上。

3.为异向性蚀刻设备，且蚀刻介电材料的蚀刻尺寸而言，蚀刻深度与蚀刻宽度的比率大于30倍、而且蚀刻幅宽度低于100纳米。含有高速脉冲输出电源、切换时间不足300m秒的高速切换阀的设备。

成膜设备（11类）

1.如下所示的各类成膜设备。*利用电镀形成钴（Co）膜的设备。

利用电镀形成钴（Co）膜的设备。

利用自下而上（Bottom-up）成膜技术，填充钴（Co）或者钨（W）时，填充的金属的空隙、或者接缝的最大尺寸为3纳米以下的CVD设备。

在同一个腔体（Chamber）内进行多道工序，形成金属接触层（膜）的设备、氢（或者含氢、氮、氨混合物）等离子设备、在维持晶圆温度为100度一一500度的同时、利用有机化合物形成钨（W）膜的设备。

可保持气压为0.01Pa以下真空状态（或者惰性环境）的、含多个腔体的、可处理多个工序的成膜设备，以及下面的所有工序中所使用的金属接触层成膜设备：（1）在维持晶圆温度为20度一一500度的同时，利用有机金属化合物，形成氮化钛层膜或者碳化钨层膜的工艺。（2）在保持晶圆温度低于500度的同时，在压力为0.1333Pa一一13.33Pa的范围内，利用溅射工艺，形成钴（Co）层膜的工艺。（3）在维持晶圆温度为20度一一500度的同时，在压力为133.3Pa一一13.33kPa的范围内，利用有机金属化合物，形成钴（Co）层膜的工艺。

利用以下所有工艺形成铜线路的设备。（1）在保持晶圆温度为20度一一500度的同时，在压力为133.3Pa一一13.33kPa的范围内，利用有机金属化合物，形成钴（Co）层膜、或者钌（Ru）层膜的工艺。（2）在保持晶圆温度低于500度的同时，在压力为0.1333Pa一一13.33Pa的范围内，利用PVD技术，形成铜（Cu）层膜的工艺。

利用金属有机化合物，有选择性地形成阻障层（Barrier）或者Liner的ALD设备。

在保持晶圆温度低于500度的同时，为了使绝缘膜和绝缘膜之间不产生空隙（空隙的宽度和深度比超过五倍，且空隙宽度为40纳米以下），而填充钨（W）或者钴（Co）的ALD设备。

2.在压力为0.01Pa以下的真空状态下(或者惰性环境下)，不采用阻障层（Barrier），有选择性地生长钨（W）或者钼（Mo）的成膜设备。

3.在保持晶圆温度为20度一一500度的同时，利用有机金属化合物，形成钌（Ru）膜的设备。

4.“空间原子层沉积设备（仅限于支持与旋转轴晶圆的设备）”，以下皆属于限制范围。（1）利用等离子，形成原子层膜。（2）带等离子源。（3）具有将等离子体封闭在等离子照射区域的“等离子屏蔽体（Plasma Shield）”或相关技术手法。

5.可在400度一一650度温度下成膜的设备，或者利用其他空间（与晶圆不在同一空间）内产生的自由基(Radical)产生化学反应，从而形成薄膜的设备，以下所有可形成硅（Si）或碳（C）膜的设备属于限制出口范围：（1）相对介电常数（Relative Permittivity）低于5.3。（2）对水平方向孔径部分尺寸不满70纳米的线路而言，其与线路深度的比超过五倍。（3）线路的线距（Pitch）为100纳米以下。

6.利用离子束（Ion Beam）蒸镀或者物理气相生长法(PVD)工艺，形成多层反射膜(用于极紫外集成电路制造设备的掩膜)的设备。

7．用于硅（Si）或者硅锗（SiGe）（包括添加了碳的材料）外延生长的以下所有设备属于管控范围。（1）拥有多个腔体，在多个工序之间，可以保持0.01Pa以下的真空状态（或者在水和氧的分压低于0.01Pa的惰性环境）的设备。（2）用于半导体前段制程，带有为净化晶圆表面而设计的腔体的设备。（3）外延生长的工作温度在685度以下的设备。

8.可利用等离子技术，形成厚度超过100纳米、而且应力低于450MPa的碳硬掩膜（Carbon Hard Mask）的设备。

9.可利用原子层沉积法或者化学气相法，形成钨（W）膜（仅限每立方厘米内氟原子数量低于1019个）的设备。

10.为了不在金属线路之间（仅限宽度不足25纳米、且深度大于50纳米）产生间隙，利用等离子形成相对介电常数（Relative Permittivity）低于3.3的低介电层膜的等离子体成膜设备。

11.在0.01Pa以下的真空状态下工作的退火设备，通过再回流（Reflow）铜（Cu）、钴（Co）、钨（W），使铜线路的空隙、接缝最小化，或者使其消失。

根据研究公司TrendForce的数据，未来3年，28nm及以上制程芯片预计将占据全球晶圆代工厂产能的75%至80%。若扩大到45nm及以下节点，将影响几乎所有国内涉及SoC、FPGA、CIS、SSD主控等逻辑晶圆制造商和3D NAND存储器制造商。

（来源：SEMI产业投资平台）