韩国要求美国放宽芯片法护栏，允准国内增产10%！

韩国政府日前针对美国《芯片与科学法案》（CHIPS Act，以下称芯片法案）补贴标准，要求美国放宽「护栏条款」限制，扩大受补贴半导体企业在国内扩大产能的上限。

韩媒首尔经济、Digital Times等引述美国官方公告指出，韩国政府就美国商务部于2023年3月21日公布的芯片法案护栏条款施行细则提出正式意见，表示护栏条款实施不应让投资美国的业者承受不合理的负担，希望美国政府重新讨论规定中「具体扩张（material expansion）」和「传统制程（Legacy）」等关键词汇的定义。

根据护栏条款，获得美国半导体补贴的业者，未来10年在国内半导体先进制程产能扩充不得超过5%，而韩国政府则要求至少应允许增产10%以上。

对此外交相关人士指出，要求针对具体扩张定义再次讨论，是希望能扩大先进制程半导体的扩产上限，韩国立场为至少应允许扩产10%以上。半导体业界普遍认为，考量到过去10年间三星电子（Samsung Electronics）在国内的半导体产量增加100%以上，将扩产比例限制在5%以下较为过分。

要求重新讨论成熟制程半导体定义，也是考虑到技术的发展速度，期能放宽标准。目前，美国商务部将28纳米制程数码或类比逻辑半导体、18纳米DRAM、128层NAND Flash作为成熟及先进制程半导体的分界。

韩国半导体产业协会（KSIA）也提交意见书，要求限缩「技术追回（technology clawback）」条款的限制范围。根据条款内容，受补助业者若与「受关注的外国实体」（Foreign Entity of Concern；FEoC）进行共同研发或技术授权（签订专利使用合约），需返还补助金。

不过，当前的FEoC定义过于广泛且模糊，所有国内人和国内业者都能被包含在FEoC中，相当于可禁止总公司和国内分公司间交易等企业内部运作，应将FEoC定义缩小为出口管制名单内业者等。

此外，专利使用合约也需排除在技术回收条款的「共同研发」定义之外，因为阻止业者与FEoC签订专利使用合约，将冲击半导体生态系所需的日常性事业交易，反而使获得半导体补助的业者处于不利情况。

韩国外交相关人士表示，为了尽可能反应韩国企业需求，将针对细部规定与美国政府持续进行协商。

来源：digitimes