通过鉴定，中国电科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET国际先进

半导体产业网讯：近日，中国电科55所牵头研发的“高性能高可靠碳化硅 MOSFET技术及应用”成功通过技术鉴定。鉴定委员会认为，该项目技术难度大，创新性显著，总体技术达到国际先进水平。

该项目聚焦新能源汽车、光伏储能、智能电网等领域对高性能高可靠碳化硅 MOSFET器件自主创新的迫切需求，突破多项关键工艺技术，贯通碳化硅衬底、外延、芯片、模块全产业链量产平台，国内率先研制出750V/150A和6500V/25A的大电流碳化硅 MOSFET器件，实现新能源汽车、光伏、智能电网等领域碳化硅MOSFET批量供货，有力保障碳化硅功率器件供应链安全，支撑产业链向高端跃升。

下一步，国基南方、55所将面向国家重大战略需求，聚焦汽车芯片等领域，继续完善产品谱系、拓展产品类型，全力提升碳化硅产能，进一步推进新能源汽车用碳化硅 MOSFET芯片和功率模块关键核心技术攻关及产业化应用，为实现“碳达峰、碳中和”作出新的更大贡献。

值得关注的是，在今年的4月17日，中国电科55所与一汽联合推动碳化硅功率器件及模组科技创新，研发的首款750V碳化硅功率芯片完成样品流片，首款全国产1200V塑封2in1碳化硅功率模块完成A样件试制。

在750V碳化硅功率芯片项目中，双方技术团队从结构设计、工艺技术、材料应用维度开展联合攻关，推动碳化硅功率芯片技术达到国际先进水平。目前，已正式进入产品级测试阶段。在2in1碳化硅功率模块项目中，双方技术团队围绕新结构、新工艺、新材料开展联合攻关，实现芯片衬底与外延材料制备、芯片晶圆设计与生产、封装结构设计、塑封工艺开发与模块试制等关键环节全流程自主创新，为碳化硅功率半导体设计与生产全自主化、全国产化打下坚实基础。

面向未来，55所将持续强化产业链上下游联合攻关，推动碳化硅功率器件及模组关键核心技术自主创新，为新能源汽车产业高质量发展提供科技支撑。

此外，碳化硅外延片，指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶薄膜的碳化硅片，是用于制造高性能半导体器件的关键材料。在今年4月24日，中国电科称，电科材料6英寸碳化硅外延片产业化工作取得重大进展，6英寸中高压碳化硅外延片月产能力实现大幅提升。电科材料持续布局第三代半导体外延材料研发生产，实现一系列技术突破，在碳化硅外延领域，完成6英寸3300V碳化硅外延材料研发。同时，积极与国产设备厂商合作开发生产装备，推动碳化硅核心装备国产化。未来，电科材料将持续创新突破，推出更多高端碳化硅材料产品，为助力国内新能源汽车、充电桩、光伏等新兴产业蓬勃发展蓄势赋能。