延续摩尔定律：英特尔公布堆叠式CFET场效应管架构，迈向1nm制程

集微网消息，据外媒Tom's Hardware报道，在5月16-17日于比利时安特卫普举办的ITF World 2023活动中，英特尔技术开发总经理Ann Kelleher公布了在技术领域的关键进展、路线图，重点之一便是发布“堆叠式CFET场效应管架构”，这是GAA FET的最新形态，体积更小，有望进一步延续摩尔定律，在1nm以下芯片中实现更高的晶体管密度。

根据活动现场的幻灯片，在堆叠式CFET之前，还有英特尔已经公布的RibbonFET技术。此前英特尔曾公布“Intel 20A”工艺节点，意味着芯片制程达到2nm节点，对应的技术便是RibbonFET。这种场效应晶体管使用GAA全环绕栅极设计，可以提高晶体管的密度和性能，在单位面积内可以堆叠4个纳米片。

关于下一代CFET晶体管，英特尔还展示了多种不同的设计方案，这种架构的集成密度进一步提升，将n型和p型MOS元件堆叠在一起，可以堆叠8个纳米片，比RibbonFET多一倍。目前，英特尔正在研究两种类型的CFET：单片式（monolithic）和顺序式（sequential）。

值得注意的是，英特尔的路线图、CFET架构并不是独立提出的，而是与IMEC机构长期合作的结果。IMEC全称为“Interuniversity Microelectronics Centre”微电子研究中心，是与台积电、ASML齐名的芯片行业重要机构，联合了英特尔、台积电、三星与ASML、应用材料公司等，以及Cadence和Synopsys这样的半导体设计软件（EDA）公司。这家机构联结了半导体领域几乎所有重要公司，致力于进行未来半导体技术的研究。下图来自IMEC，图中右侧四个结构，均为CFET的变种，不过英特尔自己的CFET架构与IME示意图有所不同。

根据幻灯片，可以总结出英特尔晶体管工艺的演变路线：Planar FET平面场效应管、FinFET鳍式场效应管（当前主流）、RibbonFET全环绕栅极场效应管、CFET堆叠式场效应管。外媒表示，在RibbonFET和CFET之间，不确定是否会有其它中间技术会应用。

英特尔现场展示的幻灯片没有透露CFET架构的具体应用时间，不过外媒猜测，IMEC的路线图展示了2032年以后，芯片制程可以达到0.5纳米，预计该架构能够帮助英特尔实现这一目标，在较长一段时间内继续延续摩尔定律。

Ann Kelleher的演讲还包括她自身的经历。她从大学毕业后，便来到IMEC工作，后来加入英特尔。在过去的30年时间里，英特尔与IMEC一直保持长期的合作关系，这种合作一直持续到今天。

（校对/张杰）