Transphorm推出引脚兼容的SuperGaN FET

新型PQFN封装可直接替代e-mode GaN解决方案

Transphorm宣布推出六款采用表面贴装PQFN 5x6和8x8封装的SuperGaN FETS。该公司表示，这六款d模式配置器件可以作为第一设计源，也可以作为e-mode GaN解决方案的pin-to-pin替代品和/或辅助源。

这些器件分别为 72、150、240 和 480 mΩ FET。72mΩ FET 设计用于数据通信、广泛的工业、光伏逆变器、伺服电机、计算系统和一般消费类应用。150、240 和 480 mΩ FET 设计用于电源适配器、低功耗 SMPS、照明和低功耗消费类应用。

对于需要SuperGaN平台提供额外热性能的电源系统，Transphorm还提供采用优化性能封装的SMD产品。Transphorm表示，d模式配置的低压硅MOSFET与GaN HEMT的组合，可与标准的、现成的控制器和/或驱动器配合使用。

据该公司称，用SuperGaN d-mode FET取代e-mode器件，可以通过降低传导损耗来实现更高的性能和更低的工作温度，从而延长使用寿命的可靠性。一个例子可以在最近的直接比较中找到，在一个280W的游戏笔记本充电器中，50 mΩ的e-mode被72 mΩ的SuperGaN技术取代。

在该充电器分析中，SuperGaN FET在控制器的输出电压范围内工作（而e-mode必须电平转换），温度较低。SuperGaN电阻温度系数（TCR）比e-mode低约25%，有助于降低传导损耗。此外，外围组件数量减少了 20%，表明 BOM 成本更低。

“Transphorm继续生产强大的GaN器件产品组合，涵盖当今最广泛的功率谱。通过发布这些行业标准封装，我们巩固了我们的低功耗战略，这些封装是继最近宣布与Weltrend Semiconductors公司合作开发的SiP之后的又一成果。”Transphorm业务开发和营销高级副总裁Philip Zuk说，“客户现在可以选择如何利用SuperGaN的优势，无论是通过高性能封装、pin-to-pin e-mode兼容工业标准封装，还是系统级封装。”

苏州会议

雅时国际(ACT International)将于2023年5月23-24日,在苏州组织举办主题为“2023-半导体先进技术创新发展和机遇大会”。会议包括两个专题：半导体制造与封装、化合物半导体先进技术及应用。分别以“CHIP China晶芯研讨会”和“化合物半导体先进技术及应用大会”两场论坛的形式同时进行。详情点击链接查看：https://w.lwc.cn/s/nAjqi2