外媒：瑞萨电子拟于2025年实现碳化硅功率器件量产

据外媒报道，日本半导体巨头瑞萨电子日前宣布，将于2025年开始生产使用碳化硅(SiC)来降低损耗的下一代功率半导体产品。计划在目前生产硅基功率半导体的群马县高崎工厂进行量产，但具体投资金额和生产规模尚未确定。报道称，碳化硅比传统的硅具有更好的耐热性和耐压性。使用SiC的功率半导体极少功率损耗，如果用于电动汽车，可以延长续航里程。除电动汽车外，蓄电池等可再生能源领域的应用也有望扩大。

意法半导体、英飞凌、三菱电机等企业都在布局碳化硅半导体，瑞萨电子起步较晚，但CEO柴田英利在新闻发布会上表示，“传统的功率半导体上我们是后来者，但现在因高效率而备受推崇，SiC也可以做到。”根据瑞萨电子采取的战略，其将用于处理系统的尖端逻辑半导体的生产外包给代工厂，这些系统的开发和投资成本很高。功率半导体是内部生产的，2014年关闭的甲府工厂也将于2024年上半年重新开始运营，开始生产使用硅的功率半导体。

（来源：集微）