7大半导体巨头齐聚日本！美光斥资35亿美元建DRAM厂！IMEC将建研发中心！台积电、三星计划扩大投资！

来源:芯智讯发布时间:2023-05-191767浏览

5月19日消息，日本首相岸田文雄昨日邀请了台积电、英特尔、应用材料、三星等全球七大半导体厂高层在日本会谈。包括台积电董事长刘德音、英特尔CEO基辛格、三星电子半导体部门负责人庆桂显、美光CEO梅罗塔、IBM资深副总裁兼研究主管吉尔、应用材料半导体产品事业群总裁拉贾，以及比利时半导体研究开发机构IMEC执行副总裁 Max Mirgoli 都受到了邀请。

台积电宣布继续投资日本

台积电董事长刘德音在18日下午发布声明指出，很荣幸受邀和日本政府及半导体产业领导者共同交流对半导体产业未来发展的想法。

刘德音表示，会议时分享了日本在全球半导体产业扮演的重要角色，也谈到台积电20多年与日本企业紧密的伙伴关系，台积电将持续投资日本，以支持半导体产业的长期发展。

刘德音说，深信日本在全球半导体生态圈中拥有独特且重要的地位，也将持续通过各项创新措施来加强与日本半导体伙伴合作。日本政府针对强化半导体生态系统的措施令人印象深刻，台积电期待未来与日本半导体伙伴在诸多领域继续携手合作。

目前台积电正在日本熊本兴建晶圆厂，计划以16 / 12nm和28nm提供晶圆制造服务，以应对全球市场对特殊制程的强烈需求。这座晶圆厂的建设工程已经开始，并2024年迈入量产。另外，台积电还在评估在日本建立第二座晶圆代工厂，外界预计可能将导入更先进的制程。

美光宣布投资37亿美元在日本建DRAM厂

美光在此次会议上也宣布，在日本政府的支持下，将投资5,000亿日元（37亿美元），包括在广岛设立DRAM芯片工厂，并将安装ASML最新的极紫外光（EUV）设备，以1-gamma节点生产DRAM芯片，成为第一家把EUV技术带到日本的公司。美光预期2025年起加强与中国台湾和日本的1-gamma节点EUV生产。

美光在声明指出：这项投资将“促成下一波端对端技术创新，例如迅速崛起的生成式人工智能（AI）应用”。

据彭博资讯报导，日本政府将提供美光约2,000亿日圆（15亿美元）的补贴。研究机构Omdia分析师南川明指出，美光广岛工厂前身是尔必达的工厂，拥有一些美光工程师，将在G7强化半导体供应链的野心中，扮演关键角色。

三星计划扩大在日本投资

三星在会议上也表示出要在日本扩大投资的意愿。目前三星正在横滨设立成本300亿日圆的研发中心，探索先进封装技术，并将有半导体装置的试产产线。据路透报导，日本正为这座设施安排价值约150亿日圆（1.1亿美元）的补贴。

IMEC宣布在日本建研发中心

此外，据日经亚洲评论报道，IMEC 执行副总裁 Max Mirgoli 于 18 日当天也与日本首相举了行会面。IMEC 的CEO Luc Van den hove 当日表示，为了全力支持日本晶圆代工企业 Rapidus 研发 2nm制程技术，以及强化与日本大学、企业的合作，因此决定在日本北海道设立研发中心。

2022年8月，日本的晶圆代工企业Rapidus正式成立，由丰田、Sony、NTT、NEC、软银(Softbank)、电装（Denso）、NAND Flash大厂铠侠(Kioxia)、三菱UFJ等8家日企共同出资设立，出资额各为73亿日圆，且日本政府也将提供700亿日圆补助金、作为其研发预算。目标是在5年后的2027年开始量产2nm先进制程芯片。Rapidus计划国产化的对象为使用于自动驾驶、人工智能(AI)等用途的先进逻辑芯片。

今年4月，Rapidus总裁小池淳义宣布将在北海道千岁市兴建该公司首座2nm工厂。该座千岁工厂将兴建2栋以上的厂房。而第一个原型产品将在 2025 年底完成，之后大规模量产，以追上台积电等世界级晶圆代工商步伐。除了2nm之外，还将兴建1nm晶圆代工厂。研发投入方面，小池淳义预计技术研发需 2 兆日元，正式产线还需 3 兆日元。

在技术来源方面，Rapidus曾在去年12月和IBM达成战略性伙伴关系，双方将携手推动基于IBM突破性的2nm制程技术的研发，而该2nm技术将导入于此次决定兴建的北海道千岁工厂内。据日本经济新闻最新报道，Rapidus已完成1台EUV光刻设备的筹备，预估2030年代（2030-2039年）Rapidus营收将达1万亿日元。

但是，此前的消息显示，格芯已提起诉讼，指控IBM非法将格芯的知识产权披露给其合作伙伴，其中就包括Rapidus。或许正因为如此，日本政府又找来IMEC来帮助其进行研发。

编辑：芯智讯-浪客剑

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