安森美斥巨资扩产SiC，目标拿下40%的市场

来源:半导体行业观察发布时间:2023-05-171009浏览

安森美半导体公司高管周二表示，该公司正在考虑投资 20 亿美元用于提高广泛用于帮助扩大电动汽车续航里程的碳化硅芯片的生产。公司高管在分析师介绍中表示，公司正在考虑在美国、捷克共和国或韩国进行扩张。该公司已经在这些国家/地区中的每一个国家/地区设有工厂。

ON Semiconductor 是汽车行业的长期供应商，既供应用于电动汽车传动系统的芯片，也供应广泛的其他芯片，如有助于驾驶辅助系统的摄像头和传感器。该公司一半以上的芯片都在内部生产，并投资了一条完整的节能碳化硅芯片供应链，在内部生产原材料和成品芯片。

安森美半导体首席执行官 Hassane El-Khoury 在接受采访时表示，该公司的碳化硅芯片生产目前集中在其位于韩国富川市的一家工厂。该公司计划寻找“端到端”生产方式，这意味着无论选择哪个地点，都可以将原始碳化硅粉末转化为芯片。

El-Khoury 表示，在多个地方复制整个生产过程已成为汽车制造商的一个重要卖点，他们从 2021 年开始仍持谨慎态度，当时芯片重镇德克萨斯州的冻结和亚洲芯片供应商的短缺导致汽车生产停产线。

“拥有一个地理分布的供应链总是好的，”El-Khoury 说。

在周四的金融分析师日上，高管们表示，他们的目标是到 2027 年占据碳化硅汽车芯片市场 40% 的份额。该公司预测，该领域和其他领域的增长将帮助其收入以 10% 至 12% 的复合年增长率增长，销售额从 2022 年的 83 亿美元扩大到 2027 年的中值 139 亿美元。

同期，安森美半导体预计自由现金流将从 2022 年的 16 亿美元扩大到 2027 年的 35 亿美元至 40 亿美元。

下一步，沟槽式SiC

据报道，Onsemi 正在开发使用沟槽结构而不是平面结构的碳化硅 MOSFET，将于今年晚些时候推出，预计 2024 年会出样。

该公司在捷克共和国布尔诺附近拥有 SiC 外延片工厂，并在韩国的一家晶圆厂进行设备制造。转向沟槽结构允许在 150 毫米（6 英寸）晶圆上构建更多器件，从而降低器件成本。该公司还有一个用于 200 毫米（8 英寸）SiC 晶圆生产的工程计划。

这是继公司推出导通电阻更低的最新一代 1200 V EliteSiC M3S 器件之后做出的决定 . 这些产品针对 800 V 电动汽车 (EV) 车载充电器 (OBC) 和能源基础设施应用，例如 EV 充电、太阳能和储能系统。

EliteSiC M3S 器件还用于采用标准 F2 封装的低 Rds(on) 半桥功率集成模块 (PIM)。这些模块针对工业应用，非常适合 DC-AC、AC-DC 和 DC-DC 大功率转换级。它们通过优化的直接键合铜设计提供更高级别的集成，以实现并联开关之间的平衡电流共享和热分布。PIM 旨在为能源基础设施、电动汽车直流快速充电和不间断电源 (UPS) 提供高功率密度。

“onsemi 最新一代的汽车和工业 EliteSiC M3S 产品将使设计人员能够减少他们的应用足迹和系统冷却要求，”onsemi 高级副总裁兼高级电源部门总经理 Asif Jakwani 说。“这有助于设计人员开发具有更高效率和更高功率密度的大功率转换器。”

符合汽车标准的 1200 V EliteSiC MOSFET 专为高达 22 kW 的大功率 OBC 和高压至低压 DC-DC 转换器量身定制。M3S 技术专为高速开关应用而开发，具有 XXX 的开关损耗品质因数。

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