大厂持续减产，存储芯片反转来临
来源:semitrade发布时间:2023-05-151619浏览
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在市场寒冬下，存储芯片制造商们的日子并不好过。据财报数据显示，2023年第1季三星、SK海力士与美光合计存储器营收(仅计DRAM与NAND Flash)为147亿美元。
展望2023年第2季，三大厂存储器事业营收与营益率有望较前季改善。三星、美光季减幅度可望收敛，SK海力士季增甚至有望转正。预估三星与美光存储器营收季减分别为1.6%、2.2%，SK海力士则可望转季增9.1%。
因终端客户库存多，存储器需求减少，2023年第1季存储器市况未见改善，三大厂存储器合计营收年减56%，营益率也为近5季最差表现。其中，SK海力士在三大厂中存储器事业营益率表现最弱，且库存水位上升，存储器营业亏损扩大。美光计划持续削减工资与暂停发放年度奖金，以减少2023会计年度(2022/9~2023/9)营运费用，2023年第2季存储器事业营益率可望明显改善。
有监于2023年第2季存储器需求仍属疲软态势，SK海力士与美光分别计划减少年度资本支出50%、40%；SK海力士仅针对DDR5、LPDDR5与HBM等项目进行投资，美光设备购买费用预计缩减50%以上。三星表示为因应未来存储器需求，会年资本支出计划维持前一年水准，将着重于平泽厂(P3、P4)的设备投资。
2023年第1季SK海力士整体营收中，存储器占91%，其中，DRAM降至60%以下。SK海力士近来积极布局非存储器事业，于2022年8月收购韩国晶圆代工厂Key Foundry，借以扩充晶圆代工产能。此外，购并英特尔NAND Flash提升营收，2022年起英特尔NAND Flash营收正式纳入SK海力士。
DRAM技术已发展至1β纳米制程，NAND Flash层数则突破200层，三星与SK海力士计划2023年达成重点产品量产目标。此外，高带宽存储器(HBM)已发展至HBM3，三星与SK海力士皆提供24GB (12层DRAM堆叠)样品给客户进行验证。
美光近来于存储器先进制程的转换步调快于韩国业者，在DRAM制程微缩技术方面，率先提出1γ 纳米生产时程；NAND Flash层数提升方面，已量产232层NAND Flash。美光预计2025年生产1γ纳米DRAM，为存储器三大厂中，首度揭露1γ纳米DRAM生产时程的厂商。
为了应对全球半导体需求急剧下滑导致的价格暴跌，铠侠、美光等去年起已经陆续启动减产以度过寒冬，三星近月也罕见地宣布减产。展望2023年第2季，存储器市况虽维持疲软，然终端客户库存水位渐有下降趋势，存储器市况可望回稳。
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