图解功率器件IGBT工艺全流程
来源:半导体行业联盟发布时间:2023-05-134962浏览
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功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写。当然功率半导体元件除了IGBT之外，还有MOSFET、BIPOLAR等，这些都能用来作为半导体开关，今天单说IGBT的工艺流程。
功率器件IGBT工艺流程
 | 1.基板 |
 | 2.B+注入使用离子注入设备 |
 | 3.绝缘膜形成通过CVD形成掩膜 |
 | 4.掩膜用绝缘膜加工通过刻蚀和去胶处理绝缘膜 |
 | 5.P+注入使用离子注入设备 |
 | 6.形成沟槽通过刻蚀形成沟槽 |
 | 7.形成绝缘膜通过CVD形成绝缘膜 |
 | 8.绝缘膜加工通过刻蚀和去胶处理绝缘膜 |
 | 9.形成Emitter电极通过溅射或蒸镀形成电极 |
 | 10.形成P+FS层通过离子注入设备形成 P+FS层 |
 | 11.形成B+（Collector）通过离子注入设备形成B+（Collector） |
 | 12.形成Collector通过溅射或蒸镀形成Collector |
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