突破美国禁令，传长鑫存储17纳米DRAM芯片量产将不受管制影响

近日，有外媒援引消息人士报导，有美系供应商终于向国内DRAM芯片制造商长鑫存储确认其订购的芯片制造设备不受美国出口管制禁令的影响。这也保证了该公司在19纳米和17纳米制程的DRAM量产不会受到美国禁令的影响。

长鑫存储是目前国内唯一一家能导入20纳米以下制程、量产DRAM芯片的本土业者。其在2019年与2022年分别进入19纳米与17纳米生产，但现阶段17纳米仍处于量产初期，相较于成熟厂商仍落后4个DRAM时代。据悉，目前最新的1β DRAM大致相当于12纳米，三星、美光、SK海力士这几家传统大厂均在有序推进中，很有可能在今年实现量产。

去年10月，美国出台对华半导体设备出口管制，限制高端芯片和先进制程设备出口中国。长鑫存储被迫暂停扩产计划。如今，长鑫存储确认进口美系设备不受出口管制影响，意味着可以继续其扩产计划。不过，长鑫存储并未透露采购新的美国设备的供应商来源。

结合此前报道，有消息称美系两大半导体设备商科林研发（Lam Research）与科磊（KLA）陆续表示，美国政府已向其厘清一些疑问，使这两厂能够继续向国内销售生产设备。推测美国政府已经允许两家公司销售芯片制造设备给长鑫存储。

尽管目前DRAM存储市场不景气，长鑫存储仍然计划引进更多国内本土设备，资本支出可能因此增加至50亿美元以上。同时有消息称，长鑫存储计划以不少于人民币1000亿元的估值，在上海证交所科创板申请IPO。如果IPO成功，长鑫存储在资金方面可以得到更有力支持，将进一步加速国内半导体产业的发展。