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汽车与光储充SiC应用及供应链升级大会
2023年5月25日 丨 上海世博洲际酒店
报名咨询：许若冰微信hangjiashuo666相比SiC MOSFET，基于硅衬底的GaN器件具备显著价格优势，但是车规应用对GaN器件的要求非常高，目前鲜有企业实现“上车”。不过，新能源汽车的蓬勃发展，使得GaN器件企业正在加快车规级技术开发，最近，英诺赛科和Transphorm提供了他们的2条“上车”路线，详情请往下看。英诺赛科650V GaN器件实现 99% 的逆变器效率5月9日，英诺赛科联合伯尔尼应用科学大学(BFH)展示了一个参考演示，该设计在多级拓扑结构中采用了英诺赛科的650V InnoGaN HEMT器件，解决850V DC的应用。
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值得一提的是，该设计采用的是ANPC拓扑结构，转换器搭载英诺赛科650V、80mΩ HEMT，采用8x8mm DFN封装，可以不需要缓冲电容器或SiC二极管，并且实现99%的逆变效率，有助于降低系统成本。据悉，该产品的应用领域包括电动汽车电机驱动器、太阳能和工业逆变器、EV 快速充电器以及 EV 动力传动系统等。
Transphorm1200V GaN实现98.7%的效率5月9日，据外媒消息，Transphorm发布了其业界首款1200V GaN-on-Sapphire器件的仿真模型，或将实现GaN在新一代汽车和三相电力系统中的应用。
据悉，Transphorm已验证了氮化镓器件在100kHz开关频率、5kW 900V降压转换器中应用的可靠性，1200V 氮化镓器件实现了98.7%的效率，超过了具有类似额定值的量产SiC MOSFET。Transphorm表示，1200V GaN器件可为汽车系统提供独特的优势——如今电动汽车800V系统已成趋势，他们的1200V 平台将在新一代车载充电器、DC-DC转换器、驱动逆变器和杆式充电系统方面大显身手，该样品预计于2024年一季度推出。插播：了解全球氮化镓产业趋势、全国氮化镓项目等，可扫描下方二维码👇👇👇
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