联电致股东报告：14nm制程良率突破90%

集微网消息，据台媒经济日报报道，联电将在5月31日举行股东常会，董事长洪嘉聪在致股东报告书中指出，今年面临景气起伏的调整与地缘政治的挑战，将持续通过创新、差异化的特殊制程技术、卓越的晶圆制造以及多元区域化的产能配置，达成与客户紧密的策略伙伴关系，看好在5G、AIoT、EV等大趋势下的半导体长期需求的增长。

联电在股东书中报告了产品方面的进展。在14nm制程技术方面，目前客户以14FFC平台设计的产品良率已突破90%，性能更满足客户需求，也已成功的导入5G及网通等应用，并且顺利进入量产。22nm制程部分，与28nm高效能精简型制程技术平台（28HPC）具有相同光罩层数及相容的设计准则，但22nm制程技术效能提升10％、功耗降低20％、晶粒尺寸减少10％，因此，22nm制程技术的成本竞争力大大提升，进而提供客户更多选择。

关于显示器驱动器与功率管理制程技术，22nm高压25V制程技术的LTPO OLED面板驱动芯片产品已完成验证程序，今年进入试产；28nm超低功耗嵌入高压主动矩阵有机发光二极体（AMOLED）显示屏驱动芯片制程技术的开发，也已完成元件模型及设计规范，同样在今年进入试产。

联电强调，集团在化合物半导体领域，主要布局通讯元件与第三类半导体功率元件等利基市场，砷化镓元件部分，针对既有HBT功率放大器持续加入SAWWfilter整合方案，提供手机射频前端模组与WiFi6／7通讯模组整合制造方案。

至于发展策略，联电表示业务预期将持续受到全球经济不确定性及终端需求疲弱的影响，公司会检视原定资本支出计划做适当调整。至于在中、长期目标，联电指出，公司将制程研发和稳定获利作为发展重心，将持续专注于开发差异化制程技术以强化客户竞争力。

联电表示会在中长期内聚焦在具有技术差异化及领先的特殊制程，包括：低功耗逻辑、双极-互补金属氧化半导体-双重扩散金属氧化半导体（BCD）、嵌入式高压（eHV）、嵌入式非挥发性存储芯片（eNVM）、射频绝缘半导体（RFSOI）等。此外，联电表示公司近年来积极投入开发化合物半导体氮化镓（GaN）功率元件与射频元件制程开发，锁定高性能电源功率元件及射频元件等市场商机。

（校对/张杰）