三星即将发布第二代3nm制程技术

来源:芯智讯发布时间:2023-05-10910浏览

5月10日消息，据韩国《每日经济新闻》英文版网站The Pulse报导，三星将在6月11至16日于日本举行的国际超大型集成电路技术研讨会上，以初步简报的形势介绍其目前的芯片技术状况，并发布其第二代3nm制程技术 SF3（3GAP）。

根据官方预告，名为 SF3（3GAP）的三星第二代 3nm 制程技术，将使用第二代 MBCFET 架构，在第一代 3nm GAA (SF3E) 基础上做进一步的优化。性能将比目前的4nm制程（SF4）快22%，能效可提高34%，芯片尺寸也将缩减21%。

三星的第一代3nm制程就率先采用了GAA（Gate-all-around，环绕栅极）技术。传统的平面晶体管（Planar FET）通过降低电压来节省功耗，然而，平面晶体管的短沟道效应限制了电压的继续降低，而FinFET（鳍式场效应晶体管）的出现使得电压得以再次降低，但随着工艺的继续推进，FinFET已经不足以满足需求。于是，GAA技术应运而生。其主要优点之一就是可以使得漏电流减少。另外，通道厚度可以调整，以提高性能或降低功耗。

三星表示，第二代 3nm 制程技术提供了更大的设计灵活性，使用不同宽度的 MBCFET。三星方面表示，其第二代3nm制程将在2024年与台积电的先进制程技术上展开竞争。

报导指出，三星发表第二代3nm制程技术意义重大，因为这是该公司首次拿未来的芯片制程与目前主要的4nm制程相比。此前，三星都以5nm制程作为比较下一代技术效能的基准，去年6月首度量产3nm制程时，三星称其性能比5nm制程（N5）快了23%，芯片尺寸缩小了16%。不过，三星并没有将其 SF3 与 SF3E 进行比较，也没有关于 SRAM 和模拟电路缩放方面的资料。

产业专家表示，三星第二代3nm制程技术能否称为三星技术能力的重大推进，能否帮助其与台积电的竞争还有待观察。

日前，三星集团旗下设备解决方案部门总裁庆桂显（Kye hyun Kyung）在接受媒体访问时表示，其半导体制程上落后于台积电。不过，他认为三星更早地GAA晶体管技术是一项优势，预计5年内可以达成超越台积电的目标。

报导进一步指出，三星目前也还在改进其 4nm 制程技术，目标是通过 SF4P（4LPP+）缩小与竞争对手之间的差距，预计会在 2023 年下半年量产。此外，三星还计划推出用于高性能 CPU 和 GPU 的 SF4X（4HPC）。

值得注意的是，台积电也在准备推出宣布名为N3P的增强型 3nm制程技术，性能将比5nm制芯片提升18%，能耗将减少32%。

编辑：芯智讯-浪客剑

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