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来源:充电头网发布时间:2023-05-082228浏览
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在一些应用场景，例如照明行业和适配器行业，低成本和高可靠性是客户优先考虑的；而TO封装成本比DFN低80%左右；还有在大功率应用场景，例如家电电源、模块电源、微逆变器、户外电源、适配器电源等，大多采用TO封装来满足散热需求，例如TO252，TO220，TO247，TOLL等。相对DFN贴片封装，TO封装的体积更大，散热能力和瞬态热阻都更好，耐热冲击能力更强，散热设计更简单，适合热可靠性要求高、电流冲击大的应用。但是TO封装的寄生一般都比DFN封装要更大，在器件的开关沿，栅极和漏源极寄生电感会导致器件的栅压上耦合较大的尖峰电压，器件的栅极可靠性和驱动可靠性存在一些风险。对于栅压可靠性范围较窄和阈值电压较低的增强型GaN器件，TO封装寄生带来的风险不可忽视。能华半导体推出的增强型GaN器件具有独特的高阈值电压的特点，可以有效的防止栅极耦合的电压尖峰导致器件的误触发开通，并且具有较好的栅极和驱动的可靠性。基于能华半导体器件的优异特性，TO252封装的增强型GaN器件CE65E300TOBI应运而生。CE65E300TOBI是一颗导阻300mR的650V 增强型GaN器件，瞬态耐压达到750V。该器件采用普通标准的TO252封装，不仅具有较强的散热能力，抗冲击电流能力也较强；同时相对DFN封装的增强型GaN器件，其封装成本也低很多。在性能方面，CE65E300TOBI可以提升电源系统的效率，降低损耗和温升；同时相对传统的MOSFET方案，CE65E300TOBI可以提升系统开关频率，增加功率密度，缩小电源系统的体积，降低成本。
能华同时也推出了12V3A/36W的GaN适配器电源方案，采用这颗TO252封装的增强型GaN器件CE65E300TOBI。相对传统的适配器，体积缩小1/3以上，四点平均效率提高了1.5%；该方案通过了EMI测试，并且在输出接地时，EMI辐射也有10dB以上的裕度。
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