SiC、GaN等第三代半导体有什么疑虑？

关于第三代半导体的疑虑，这场研讨会都有答案。

第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点，先天性能优越，是新能源汽车、5G、光伏等领域的“香饽饽”。然而，现实与理想之间尚有较大差距，我们对第三代半导体的发展仍存疑虑：

前途光明，但入局者众多、行业竞争激烈，第三代半导体业者如何才能更快实现降本增效？

政策支持、资本热捧下，第三代半导体业务何时才能达到“奇点时刻”、成为相关企业的又一利润增长点？

国际环境复杂多变，对于第三代半导体产业的发展而言，利与弊是什么？企业应当如何规避风险？

碳化硅、氮化镓方兴未艾，氧化镓便汹涌而来，第三代半导体是否仍值得持续发力？

碳化硅衬底方面，中国企业在产能、良率、代际等方面与国际企业之间的差距，如何跨越？

氮化镓方面，尽管氮化镓器件能够提供更高的功率和带宽，但其终端应用仍待开发，下一步应当如何发展？

为进一步剖析第三代半导体的现状和未来。2023年6月15日，TrendForce集邦咨询特在深圳福田JW万豪酒店举办“第三代半导体前沿趋势研讨会”，邀全球知名的第三代半导体专家、院校代表、专业研究机构、企业工程师等齐聚一堂，为第三代半导体产业的发展建言献策，共同促进第三代半导体产业的发展和升级。