三星半导体：5年击败台积电！

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近日，据Hankyung报道，三星半导体今天早些时候在KAIST（韩国科学技术院）举行了一场演讲，三星设备解决方案部门总裁Kye Hyun Kyung提出了三星半导体将赶上竞争对手台积电的未来愿景。

Kye Hyun Kyung承认三星的代工技术“落后于台积电”。他解释说，三星的4nm技术比台积电落后大约两年，而其3nm工艺则比台积电落后大约一年。

不过，Kye Hyun Kyung也表示，但等到2nm就会发生变化，并大胆预测：“我们可以在五年内超越台积电。”

三星可能在未来五年内跑赢台积电的想法，源于三星打算从3nm制造工艺开始使用Gate All Around（GAA）技术。相比之下，台积电在达到200万产量之前不会使用GAA。

GAA是一种生产工艺，可以使三星生产出比台积电目前使用的工艺更小（45%）、能耗更低（50%）的芯片。Kye Hyun Kyung 称“客户对三星电子的 3nm GAA 工艺的反映很好”。

Kye Hyun Kyung还表示，三星预计存储半导体在开发AI服务器方面将变得更加重要，并超过英伟达GPU，并称三星将“确保以存储器半导体为中心的超级计算机能够在2028年问世”。

此前，有报道指出，三星表示近期旗下的4nm制程良率已获得了改善、接近nm制程的水平，而下一代的4nm制程将提供更高的良率。也因为4nm制程良率获得改善情况下，在当前台积电4nm产能吃紧时，传出处理器大厂AMD将部分4nm制程处理器订单交由三星生产的消息。另外，Google也将委托三星生产其Pixel 8智能手机使用的Tensor 3处理器，预计采用三星的第三代4nm节点制程。

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