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来源:今日半导体发布时间:2023-04-284096浏览
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中国碳化硅产业链全景图
碳化硅材料是制作高频、温抗辐射及大功率器件的优异材料。和Si、GaAs等第一、二代半导体材料相比,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)拥有击穿电压高、宽禁带、导热率高、电子饱和速率高、载流子迁移等优点。

碳化硅行业企业的业态两种商业模式
以碳化硅材料为衬底的产业链主要包括碳化硅衬底材料的制备、外延层的生长、器件制造以及下游应用市场。在碳化硅衬底上,主要使用化学气相沉积法(CVD法)在衬底表面生成所需的薄膜材料,即形成外延片,进一步制成器件。
◼ SiC器件的制造成本中,SiC衬底成本占比50%,SiC外延的成本占比25%。SiC衬底成本较高的原因在于,目前主流商用的PVT法晶体存在生长速度慢、缺陷控制难度大,推高了SiC的单片成本。

碳化硅行业企业的业态主要可以分为两种商业模式:第一类是覆盖较全的产业链环节,同时从事碳化硅衬底、外延及器件的制作,例如科锐公司等;第二类是只从事产业链的单个或者部分环节,例如II-VI公司等。
◼ 国内碳化硅产业起步较晚。衬底方面,科锐和II-IV公司已分别于2009年和2012年实现了6英寸衬底的量产,国内公司如天岳
先进于2019年才实现了量产。此外,科锐于2015年具备了更大的8英寸衬底量产能力,国内公司目前尚未有公司在8英寸实现突破。器件方面,意法半导体、英飞凌等设计、生产的SiC MOSFET已经批量应用于特斯拉,国内斯达半导、比亚迪还处于小批量供应阶段。
碳化硅行业企业汇总


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我国碳化硅衬底龙头企业进展盘点
中国电子材料行业协会半导体材料分会整理了国内主要的几家碳化硅衬底研制单位的信息,如下所示:
中电科半导体材料公司
中电科半导体材料有限公司于2019年03月28日成立,中电科半导体材料有限公司(以下简称材料公司),于2019年3月28日在天津注册成立,由集团公司主导,由电科2所控股的山西烁科新材料有限公司、电科13所控股的河北普兴电子科技股份有限公司、电科46所控股的中电晶华(天津)半导体材料有限公司以及电科55所控股的南京国盛电子有限公司构成,同时托管电科46所。
中电科半导体材料公司旗下的山西烁科晶体有限公司的保障部经理周立平介绍:“碳化硅产业基地一期的300台单晶生产设备,具备年产7.5万片碳化硅单晶衬底的产能,年收入在3亿元以上。项目建成后,将具备年产10万片4-6英寸N型碳化硅单晶晶片、5万片4-6英寸高纯半绝缘型碳化硅单晶晶片的生产能力,年产值可达10亿元。”
天科合达
北京天科合达半导体股份有限公司于2006年9月由新疆天富集团、中国科学院物理研究所共同设立,是一家专业从事第三代半导体碳化硅(SiC)晶片研发、生产和销售的高新技术企业。总部公司设在北京市大兴区生物医药基地,拥有一个研发中心和一个集晶体生长-晶体加工-晶片加工-清洗检测的全套碳化硅晶片生产基地;全资子公司—新疆天科合达蓝光半导体有限公司位于新疆石河子市,主要进行碳化硅晶体生长。
山东天岳
山东天岳先进科技股份有限公司成立于2010年11月,是一家国内领先的宽禁带(第三代)半导体衬底材料生产商,主要从事碳化硅衬底的研发、生产和销售,产品可广泛应用于电力电子、微波电子、光电子等领域。从2019年8月到2020年11月,山东天岳历经了5轮融资。2020年12月,山东天岳公司宣布首次公开发行股票并上市接受辅导。
中科钢研
中科钢研是由国务院国资委于2016年批复成立的新型央企控股混合所有制企业。未来3到5年时间,中科钢研将与其战略合作伙伴联合创设的国宏中宇科技发展有限公司(下称“国宏中宇”)建设成以上海总部基地为核心,拥有国内外多个碳化硅晶体材料、碳化硅微粉、碳化硅电子电力芯片生产基地,以碳化硅半导体材料为代表,聚集第三代半导体材料及其应用技术与产品的企业集团。
中科钢研与国宏华业在引进日本升华法(PVT),高温化学气相沉积法(HTCVD)及俄罗斯电阻加热升华法等国际一流碳化硅长晶工艺技术与装备的基础上,通过三年来的技术消化吸收再创新,通过工艺建模、数值模拟、设备集成、工艺试验等方面的系统性工作,在碳化硅长晶专用装备、碳化硅高纯度原料合成、碳化硅单晶生长及衬底片加工工艺方面取得了较大进展,形成了具有自主知识产权的以碳化硅单晶生长核心工艺技术为代表的完整工艺技术体系。
江苏超芯星
江苏超芯星半导体有限公司(Hypersics Semiconductor Co Ltd )是一家2019年新成立的第三代半导体企业。
2020年,江苏超芯星公司签约南京江北新区。该公司规划三年内实现6英寸碳化硅衬底年产3万片,未来还将在SiC衬底产品的基础上,将进一步研发SiC切磨抛工艺,打造国内SiC行业标杆企业。
另外,据其官网显示,该公司也对HTCVD法制备SiC的技术路线十分感兴趣。目前,已经研制出HTCVD碳化硅(SiC)单晶生长设备。
露笑科技
上市公司露笑科技近年来正在大举进军SiC衬底产业。
2019年8月4日晚间,露笑科技发布公告称,全资子公司内蒙古露笑蓝宝石近日与国宏中宇科技发展有限公司签订了《碳化硅长晶成套设备定制合同》,内蒙古露笑蓝宝石将为国宏中宇提供80套碳化硅长晶炉成套设备,合同总金额约1.26亿元。
2019年11月26日,露笑科技发布公告称,公司与中科钢研节能科技有限公司(以下简称“中科钢研”)、国宏中宇科技发展有限公司(以下简称“国宏中宇”)签署了《中科钢研节能科技有限公司与国宏中宇科技发展有限公司与露笑科技股份有限公司碳化硅项目战略合作协议》(以下简称“战略合作协议”),协议期限为两年,由中科钢研主导工艺技术与设备研发工作,国宏中宇主导产业化项目建设、运营与市场销售工作,露笑科技主导设备制造、项目投融资等工作并全程深入参与各项工作,通过各方的密切合作将碳化硅项目建设成为世界级的第三代半导体材料领军企业,根据国宏中宇碳化硅产业化项目的近期发展规划,露笑科技及(或)其控股企业将为国宏中宇主导的碳化硅产业化项目定制约200台碳化硅长晶炉,设备总采购金额约3亿元。
2020年4月13日,露笑科技发布了定增预案,拟非公开发行股份总数不超过4.53亿股,集资金总额不超过10亿元用于新建碳化硅衬底片产业化项目、碳化硅研发中心项目等。
2020年7月30日,露笑科技子公司浙江露笑碳硅晶体有限公司新建碳化硅衬底片产业化项目在浙江绍兴诸暨开工。该项目计划总投资6.95亿元,生产碳化硅衬底片等产品。
2020年8月9日,露笑科技发布公告称,公司于8月8日与合肥市长丰县人民政府签署了战略合作框架协议,将与合肥市长丰县人民政府在合肥市长丰县共同投资建设第三代功率半导体(碳化硅)产业园。
该产业园将落地合肥市长丰县,包括但不限于碳化硅等第三代半导体的研发及产业化项目,包括碳化硅晶体生长、衬底制作、外延生长等的研发生产,项目投资总规模预计高达100亿元。

表1 露笑科技投产碳化硅计划表
安徽微芯
安徽微芯长江半导体材料有限公司是上海申和热磁电子有限公司的子公司。该公司SiC项目落户铜陵经济开发区,项目投资13.50亿人民币,占地100亩,新建厂房建筑使用面积3.2万平,包括碳化硅晶体生长车间、晶圆加工车间、研发中心、动力厂房、辅助用厂房等。
项目以节能环保,46寸工艺兼容的自动化产线为实施要点,建设工期4年,项目从2020年10月起至2024年10月止,计划2021年3季度完成厂房建设和设备安装调试,2021年12月底完成中试并开始试销,投产后前3年生产负荷分别为33%、67%、100%。达成后预计年产4英寸碳化硅晶圆片3万片、6英寸12万片。
南砂晶圆
南砂晶圆公司是一家聚焦第三代半导体碳化硅单晶材料和相关衬底片、外延片的高新技术企业。该公司由原深圳第三代半导体研究院副院长王垚浩博士牵头,引入由山东大学徐现刚教授作为带头人,开展第三代半导体材料——碳化硅单晶材料的研发、中试和后续量产等工作。
2020年7月该公司签约广州南沙区,规划投资9亿元,达产后年产各类衬底片和外延片共20万片。
三安光电
作为LED领头羊企业的三安光电对碳化硅衬底材料的研制高度重视,很早就开始各各方面工作的布局。据内部人士透露,目前三安光电内部有多个研发团队并行攻关碳化硅衬底制备技术。

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