台积电2奈米2025量产，强化版3奈米2024量产！

晶圆代工龙头台积电于美国美西时间26日举办2023年北美技术论坛，会中揭示其最新的技术发展，包括2奈米技术进展及业界领先的3奈米技术家族新成员，以提供广泛的技术组合满足客户多样化的需求，其中包括支援更佳功耗、效能与密度的强化版N3P制程、为高效能运算（HPC）应用量身打造的N3X制程、以及支援车用客户及早采用业界最先进制程技术的N3AE解决方案。

台积电北美技术论坛于美国加州圣塔克拉拉市举行，共计超过1,600位客户及合作伙伴报名参与，为接下来几个月陆续登场的全球技术论坛揭开序幕。而台积电在北美技术论坛亦设置创新专区，展示18家新兴客户令人期待的创新技术。

台积电总裁魏哲家表示，客户从未停止寻找新方法，以利用芯片的力量为世界带来令人惊叹的创新，并创造更美好的未来。凭借着相同的精神，台积电也持续成长进步，加强并推进制程技术，提高效能、功耗效率及功能性，协助客户在未来持续释放更多的创新。

随着3奈米N3制程已进入量产，强化版N3E制程预计将于2023年量产，台积电推出更多3奈米技术家族成员以满足客户多样化的需求。包括N3P制程预计于2024年下半年进入量产，相较于N3E能在在相同漏电下速度增快5％，在相同速度下功耗降低5％～10％，芯片密度增加4％。

N3X制程着重于效能与最大时脉频率以支援HPC运算应用，相较于N3P，在驱动电压1.2伏特下速度增快5％，并拥有相同的芯片密度提升幅度，预计于2025年进入量产。N3AE将提供以N3E为基础的汽车制程设计套件（PDK），预计于2023年推出，让客户能够提早采用3奈米技术来设计汽车应用产品，以便于2025年及时采用届时已全面通过汽车制程验证的N3A制程。

台积电亦宣布2奈米技术开发进展良好，采用奈米片（nanosheet）晶体管架构，在良率与元件效能上皆展现良好的进展，将如期于2025年量产。相较于N3E制程，在相同功耗下速度最快将可增加至15％，在相同速度下功耗最多可降低30％，同时芯片密度增加大于15％。

台积电也针对CMOS射频技术发表最新产能并推进到极限，台积电在2021年推出N6RF射频制程技术后，进一步开发4奈米N4PRF制程，此为业界最先进的CMOS射频技术，以支援WiFi 7射频系统单晶片等数位密集型的射频应用，与上代制程相较逻辑密度增加77％，且在相同速度下功耗降低45％。

来源：工商时报