东微半导：IGBT在手订单充足 Si2C MOSFET已开始小批量供货

集微网消息 4月20日，东微半导披露年度业绩报告称，2022年，公司实现营收11.16亿元，同比增长42.74%；归属于上市公司股东的净利润2.84亿元，同比增长93.57%。

东微半导称，公司聚焦于光伏逆变及储能、新能源汽车车载充电机、新能源汽车直流充电桩、服务器电源等高景气赛道，营业收入持续增加，充分受益于功率半导体结构性需求分化红利；并通过不断深化与上下游优秀合作伙伴的合作关系，持续扩大产能。公司通过数字化手段不断提高运营效率，期间费用保持相对稳定。公司主营产品广泛应用于光伏逆变器、储能、新能源汽车直流充电桩、各类工业和通信电源、车载充电机以及消费类电子、适配器等领域。公司业绩的持续增长主要系受前述应用领域结构性需求增长、技术迭代及产品组合结构进一步优化等因素影响。

2022 年，东微半导大力发展光伏逆变、储能应用、UPS 方面的业务，并持续在工业电源、新能源汽车车载充电机、直流充电桩、5G 通信和基站电源、工业照明、数据中心服务器电源等领域持续发力。

在MOSFET方面，公司持续扩大高压超级结 MOSFET 在光伏逆变、储能应用、UPS 领域的业务，成功替换 IGBT 并且明显提升系统效率，出货呈现迅速增加态势。报告期内，公司产品已批量出货给客户 A、昱能科技、禾迈股份、爱士惟等公司并应用于储能领域。作为高性能电源的核心器件，超级结 MOSFET在数据中心服务器电源领域的业务保持高速增长，公司高压超级结 MOSFET 及中低压屏蔽栅MOSFET 持续批量出货给客户 A、维谛技术、中国长城等公司，并且持续增加规格设计。

新能源汽车及直流充电桩领域是公司的重点拓展方向。公司高压超级结 MOSFET 及中低压SGT MOSFET 已批量出货给比亚迪、凯斯库、哈曼、联合电子等公司。多次获得了比亚迪全资子公司弗迪动力有限公司颁发的“优秀供应商”荣誉称号。随着新能源汽车市场渗透率的迅速提升，充电桩模块市场即将迎来新一轮的迅速成长。公司与国内各主要的直流充电桩电源模块厂商均建立了广泛深入的合作关系，持续批量出货，保持在该市场主导地位。

通信电源和基站电源是高压超级结 MOSFET 及中低压屏蔽栅 MOSFET 的主要应用领域之一，也是公司的主要细分市场之一。这个领域主要有客户 A、维谛技术、中兴通讯等行业头部客户。除此之外，公司还在其他工业领域有着广泛的市场客户群体，继续批量出货视源股份、航嘉Huntkey 等公司，并持续增加设计规格。批量出货给通用电气、明纬电子、崧盛股份、茂硕电源等客户。报告期内，公司新进入了 OPPO、安克创新等客户。

公司超级硅 MOSFET 器件主要应用于高密度电源，批量进入中车株洲、航嘉驰源、Enphase Energy 等客户，开始进入禾迈股份、首航新能源、拓邦股份、金升阳等客户。

在TGBT方面，2022年公司TGBT产品持续丰富规格，多款产品进入批量供货阶段，销售收入实现迅速增长，批量进入光伏逆变及储能、新能源汽车车载充电机、新能源汽车直流充电桩模块等多个新能源领域的头部企业，获得客户一致认可，供不应求。公司 E 系列高速 TGBT 产品被批量应用于 60kHz频率电源系统，实现高速 IGBT 领域的国产替代。L 系列 TGBT 实现了极低的 Vcesat，对国外的超低 Vcesat IGBT 实现了替代。此外，公司 TGBT 产品在新能源汽车主驱应用领域亦进入认证阶段。公司研发的基于 TGBT 技术的高速大电流功率器件 600/650V Hybrid-FET 开发成功，出货量迅速增加，其高性能得到了市场的认可。

东微半导称，公司积极进行 TGBT 产品技术迭代，持续优化产品性能并加大市场推广力度，在手订单充足，供不应求。

对于SiC 器件（含 Si2C MOSFET）业务进展，东微半导称，公司积极布局基于第三代功率半导体 SiC 材料的功率器件领域。报告期内，公司开发出 SiC二极管，并发明具有自主知识产权的 Si2C MOSFET。其中，Si2C MOSFET 已通过客户的验证并开始小批量供货，应用领域包括新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、数据中心服务器高效率电源等，实现了对采用传统技术路线的 SiC MOSFET 的替代，市场前景广阔。

东微半导表示，2022年，公司积极推进主营产品高压超级结 MOSFET、中低压屏蔽栅 MOSFET 及 TGBT产品平台的技术迭代升级，优化 8 英寸与 12 英寸芯片代工平台的产品布局，取得较好成效。进一步加大第三代半导体、第四代半导体材料等前瞻性研发投入，取得突破性进展。截至报告期末，公司共计拥有产品规格型号 2,196 余款，包括高压超级结 MOSFET 产品（包括超级硅 MOSFET）1,220 款，中低压屏蔽栅 MOSFET 产品 816 款，TGBT 产品 160 款及多款 SiC 器件（含 Si2C MOSFET）。