东芯股份：公司先进制程1xnm NAND Flash产品已完成功能性验证

集微网消息 4月15日，东芯股份发布年度报告称，2022年，公司实现营业收入11.46亿元，较上年同期增长1.03%；实现归属于上市公司股东的净利润为1.85亿元，较上年同期下降29.17%。

尽管业绩有所下滑，但东芯股份仍持续加大研发投入力度，2022年，公司研发费用 1.10 亿元，占当期营业收入9.63%，较上年同比增长 3.03 个百分点。公司高度重视并始终保持高水平研发投入，坚持技术创新，保证公司产品的技术先进性。

2022 年东芯股份坚持开发新产品和技术升级。公司的 SLC NAND Flash 量产产品以中芯国际38nm、24nm，力积电 28nm 的制程为主，公司在 28nm 及 24nm 的制程上持续开发新产品，不断扩充 SLC NAND Flash 产品线，报告期内部分新产品已达到量产标准。公司先进制程的 1xnm NAND Flash 产品已完成首轮晶圆流片及首次晶圆制造，并已完成功能性验证。

而公司的 NOR Flash 产品在力积电的 48nm 制程上持续进行更高容量的新产品开发，目前512Mb、1Gb 大容量 NOR Flash 产品都已有样品可提供给客户。另一方面，公司在中芯国际的 NOR Flash 产品制程从 65nm 推进至 55nm，目前该制程产线已完成首次晶圆流片。公司将持续在现有产品的基础上为客户提供更多样化的、高可靠性的产品选择。

同时，公司设计研发的 LPDDR4x 及 PSRAM 产品均已完成工程样片并已通过客户验证，公司将继续在DRAM 领域进行新产品的研发设计，助力公司产品多样性发展。

车规产品研发进度方面，东芯股份基于中芯国际 38nm 工艺平台的 SLC NAND Flash 以及基于力积电 48nm 工艺平台的 NOR Flash 均有产品通过 AEC-Q100 测试，将适用于要求更为严苛的车规级应用环境。

经过持续多年的布局，东芯股份积极扩大产品线布局，凭借对产品下游应用细分市场的分析累积和产品优势特点，准确把握市场应用需求，聚焦投入，形成了完整的 NAND Flash、NOR Flash、DRAM 及 MCP 的产品供应链。

目前，公司的 SLC NAND Flash 凭借产品品类丰富、功耗低、可靠性高等特点，可以满足客户在不同应用领域及应用场景的需求。公司开发的 SLC NAND Flash 产品使用温度范围可达到-40℃-105℃，部分已经通过 AEC-Q100 的验证；凭借高可靠性被广泛应用于通讯设备、安防监控、可穿戴设备及移动终端等领域，通过了联发科、瑞芯微、国科微、博通等行业内主流平台厂商的认证。

而公司自主设计的 SPI NOR Flash 存储容量覆盖 64Mb 至 1Gb，符合-40℃-85℃/105℃的工业标准，并支持多种数据传输模式，已经完成了从 65nm 至 48nm 的制程推进。公司研发的 DDR3(L)具有高带宽、低延时等特点，在通讯设备、移动终端等领域应用广泛。

另外，公司推出的 LPDDR1 和 LPDDR2 系列，适用于移动互联网中的智能终端、可穿戴设备等产品。公司在研的 LPDDR4x 以及 PSRAM 产品均已为客户提供样品，可用于基带市场和模块类客户。

东芯股份表示，公司积极布局高可靠性工业类应用，依托下游应用领域如 5G、物联网、人工智能、机器视觉等市场需求，不断提高产品在网络通讯、物联网、工业控制及监控安防等高端应用领域的渗透率。

此外，东芯股份高度重视知识产权的自主性与完整性，在不断开发新技术、新产品的同时，通过多种途径对相关的知识产权进行保护。报告期内，公司新申请了 63 项发明专利、1 项软件著作权、13项集成电路布图设计权。截至报告期末，公司拥有境内外有效专利 70 项、软件著作权 13 项、集成电路布图设计权 68 项、注册商标 11 项。截至报告期末，公司累计申请境内外专利 150 项，获得专利授权 69 项，专利涉及 NAND Flash、NOR Flash、DRAM 等存储芯片的设计核心环节。