贸泽即日起备货安森美EliteSiC碳化硅解决方案

2023年4月12日 – 专注于引入新品的全球半导体和电子元器件授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅 (SiC) 系列解决方案。EliteSiC产品系列包括二极管、MOSFET、IGBT和SiC二极管功率集成模块 (PIM)，以及符合AEC-Q100标准的器件。这些器件经过优化，可为能源基础设施和工业驱动应用提供高可靠性和高性能。

可再生能源和大功率工业应用需要高击穿电压 (BV)，1700V NTH4L028N170M1 EliteSiC MOSFET就可以提供这样的特性。NTH4L028N170M1的最大栅极至源极电压 (VGS) 范围为-15V至+25V，适用于栅极电压达到-10V的快速开关应用，从而提高系统可靠性。1700V EliteSiC MOSFET在1200V、40A测试条件下的栅极电荷 (Qg) 仅为200nC，在快速开关、大功率可再生能源应用中具有很高的效率。

NDSH25170A和NDSH10170A EliteSiC肖特基二极管的额定BV为1700V，在最大反向电压 (VRRM) 和重复峰值反向电压之间具有更大的容限。这些器件还使设计人员能够在高温下实现稳定的高压操作，并且不会影响SiC的高效率。

无论是电动汽车充电站、利用可再生能源的电网，还是高压/大电流的工业驱动应用，安森美EliteSiC都能实现出色的效率，并降低功率损耗。

作为全球授权代理商，贸泽电子库存有丰富的半导体和电子元器件并支持随时发货™。贸泽旨在为客户供应全面认证的原厂产品，并提供全方位的制造商可追溯性。为帮助客户加速设计，贸泽网站提供了丰富的技术资源库，包括技术资源中心、产品数据手册、供应商特定参考设计、应用笔记、技术设计信息、工程工具以及其他有用的信息。

工程师还可以一键订阅免费的贸泽电子报，及时了解业界新品动态和资讯。在订阅贸泽的电子报时，我们可以根据您不断变化的具体项目需求来提供相关的新闻报道和参考信息。贸泽充分尊重用户的权利，让您能自由掌控想要接收的内容。