iPhone 15外延芯片独家供应商要换成这家砷化镓厂商？

有消息称，iPhone 15机型虽均采用与iPhone 14 Pro机型相同的动态岛设计，但差别在于iPhone 14 Pro将proximity sensor放置屏下/在动态岛外，而iPhone 15系列则在动态岛面积几乎没有变化下，将proximity sensor放置在动态岛内。基于此改变，Finisar (被Coherent/II-VI收购) 将改供应波长940nm的proximity sensor (iPhone 14 Pro为1380nm)，而上游epi wafer供应商也改为IQE。

近日，有消息传英国厂商IQE将取代台企联亚，成为苹果iPhone 15系列的近距离传感器的外延晶圆独家供应商。

据天风国际证券分析师郭明錤在3月24 日于社交平台发文表示，IQE将取代联亚，成为iPhone 15系列的proximity sensor的磊晶晶圆 (epi wafer) 独家供应商。所有iPhone 15机型虽均采用与iPhone 14 Pro机型相同的动态岛设计，但差别在于iPhone 14 Pro将proximity sensor放置屏下/在动态岛外，而iPhone 15系列则在动态岛面积几乎没有变化下，将proximity sensor放置在动态岛内。

基于此改变，Finisar (被Coherent/II-VI收购) 将改供应波长940nm的proximity sensor (iPhone 14 Pro为1380nm)，而上游epi wafer供应商也改为IQE。

近距离传感器用来感测物体的距离，并相对应地做出该有的反应，比如当手机用户接听电话或者装进口袋时，传感器可以判断出手机贴近了人的脸部或者衣服而关闭屏幕的触控功能，以防止错误操作。郭明錤认为，iPhone 15系列动态岛面积几乎没有变化下，但近距离传感器将放在动态岛内，因此Finisar将改供应波长940nm的近接传感器，而上游外延芯片供应商也改为IQE，而非目前的联亚。

简而言之，苹果公司可能是为了提高iPhone 15系列的近接传感器性能和设计效果，才选择了IQE作为新的供应商。

IQE和联亚都是生产以砷化镓与磷化铟为基板的Ⅲ-Ⅴ族材料化合物的磊芯片的公司。IQE是英国的外延晶圆大厂，而联亚是中国台湾地区的光通信模块台厂。

据悉，IQE是一家伦敦上市公司，专注于基于砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、氮化镓(GaN) 和硅的先进硅和化合物半导体材料。该公司是通过金属有机气相外延(MOCVD)、分子束外延(MBE) 和化学气相沉积(CVD)制造外延片的最大独立外包生产商。

IQE 由 Drew Nelson 和 Michael Scott 于 1988 年创立，前身是Epitaxial Products International ( EPI )。最初，该公司专门为主要用于光纤通信的光电设备生产外延片。金属有机化学气相沉积 (MOCVD)技术用于生产半导体激光器、发光二极管(LED) 和光电探测器，设计用于在 1300 nm 和 1550 nm 的波长下工作，用于长距离光纤通信。

1999 年，Epitaxial Products International 与位于宾夕法尼亚州的 Quantum Epitaxial Designs (QED) 合并，成立了 IQE。QED 由 Tom Hierl 创立。

同样在 1999 年，新合并的实体在欧洲 Easdaq (纳斯达克欧洲) 证券交易所进行了首次公开募股(IPO)，随后一年后在伦敦证券交易所上市。

与 QED 的合并为该集团带来了一系列基于分子束外延(MBE) 技术的新型制造工具和一系列无线电信产品。合并后，IQE 成为第一家使用 MOCVD 和 MBE 技术生产光电和射频 (RF) 外延晶圆的独立外包制造商。伯利恒工厂专门生产多种无线产品，包括假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT) 和金属半导体场效应晶体管(MESFET)。

2000 年，该公司成立了一家新的全资子公司，专门从事硅基外延生长。IQE Silicon 成立于毗邻集团总部和位于英国威尔士卡迪夫的欧洲制造基地的新工厂。

新子公司使用化学气相沉积(CVD) 工具生产硅和锗外延晶片，以提高硅加工性能、微机电系统(MEMS) 和纳米技术应用。

同样在 2000 年，该集团收购了位于英国米尔顿凯恩斯的 Wafer Technology 。此次收购为该集团提供了砷化镓(GaAs) 和磷化铟(InP)衬底的内部生产，并增加了用于红外应用的锑化镓(GaSb) 和锑化铟(InSb)的生产能力。

2006 年，集团从 Emcore 手中收购了电子材料部门，为 IQE 提供了位于新泽西州萨默塞特的第二个美国业务。此次收购进一步增加了 MOCVD 产能和互补射频 (RF) 产品，包括异质结双极晶体管(HBT) 和双极场效应晶体管(BiFET)。

同样在 2006 年，该集团以新加坡MBET 技术的形式进一步收购，为该集团提供了完整的多站点、多技术和多产品能力，从而成为世界上最大的外延片独立合同制造商。2009 年，该集团收购了巴斯大学的一家初创公司 NanoGaN，从而 增加了新的独立式氮化镓(GaN) 衬底能力。

2012年，IQE集团收购了位于美国华盛顿州斯波坎的Galaxy Compound Semiconductors和位于美国北卡罗来纳州格林斯伯勒的RFMD的MBE外延制造部门。

该公司于 2018 年 11 月 12 日向证券交易所发布公告称，其产品的出货量将大幅减少，也对盈利能力产生重大影响，导致股价暴跌。

IQE于2019财年营收净亏损3500万英镑，销售额与2018年相比下降了10%。

2022年5月，IQE与初创公司Porotech达成了战略合作，进军micro-LED新兴市场。Porotech于2020年从剑桥大学分拆出来，目前正在研究基于多孔氮化镓（GaN）半导体的新型可见光发射器。

2022年6月22日，IQE 与创新光学和光子产品设计与制造商Lumentum共同宣布，双方签署了一项多年协议，IQE将为Lumentum提供支持3D传感、汽车激光雷达和光网络应用的外延片（Epiwafer）。（文：国际电子商情）

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