英诺赛科参加 APEC 电力电子会议，展示身边的氮化镓应用

美国国际电力电子应用展览会（APEC）于3月19-23日在美国佛罗里达州举办，由IEEE-产业应用学会(IAS)、电力电子学会(PELS)，美国电源制造商协会(PSMA)联合主办。该展会是目前全球电力电子、电源领域规模最大、水平最高的展览会议。来自各地的公司及组织将在现场展示电力电子新产品、新技术，是各国电子行业专业人士的重要交流平台。

作为一家旨在用高性能、低成本的硅基氮化镓电力解决方案构建全球能源生态系统的高新技术企业，英诺赛科携多领域应用方案与新产品在APEC上亮相，以“Fill the world with GaN”为主题，打造氮化镓三大应用场景，成为本次大会的一大焦点。

8 inch GaN-on-Si IDM

在产品展示区域，英诺赛科展示了硅基氮化镓晶圆，高中低压30V-700V氮化镓芯片，重点介绍了40V VGaN双向导通系列，SolidGaN 半桥合封系列，全新封装Toll/TO 等封装新品，全面扩大产品范围，为客户提供参考。

（1）全新封装TO220/TO252，借助于InnoGaN平面结构特点，TO封装可以实现更好的散热条件，并减小共模噪音，EMI更好处理；

（2）Solid GaN 合封产品 100V高集成半桥氮化镓芯片ISG3201, 650V的半桥氮化镓芯片 ISG6252等，能够简化外围电路，大幅度降低驱动回路和功率回路的寄生电感，减少占板面积（vs Si），让系统效率更高，并有效降低温升；

（3）行业首创的双向导通产品VGaN系列，采WLCSP 封装，能够实现以一替二（Si），并成功导入到oppo/realme等手机主板，节省手机PCBA空间，降低手机充电温度，实现更高效、更安全的充电方式。

方案展示

InnoGaN in Life

在生活区的消费类领域，英诺赛科展示了采用英诺赛科VGaN的realme GT2手机，安克65W全氮化镓快充，闪极、倍思、绿联、贝尔金、努比亚等30W-65W小体积快充产品；30W-300W 的氮化镓快充及适配器高效方案，200W LED电源，2kW 户外储能电源等方案也同步呈现，全面提高终端用户的生活体验！

Realme GT 2手机

内置英诺赛科双向导通器件（VGaN），以一颗氮化镓替代两颗SiMOS，将体积缩小50%、效率更高。

2KW户外存储电源

芯仙（英诺赛科增值经销商）设计的 2KW 便携式户外储能电源方案，采用图腾柱无桥电路和全桥 LLC 拓扑结构设计而成，为高效率、小体积的便携式户外储能产品提供参考。

500WClassD

英诺赛科与合作伙伴共同开发的500W Class D （功放）方案，为音响设备提供极致的音频体验和更高的能效。

InnoGaN in Datacenter

在数据中心展区，英诺赛科针对数据中心供电做了全面的布局，可以给客户提供全链路的氮化镓供电解决方案，现场展示了PSU电源的AC转DC环节的2KWPSU 和 4KW PFC方案，48V转12V环节的420W/600W/1000W 电源模块，以及Oring，Hotswap，Vcore电源等方案，提升供电链路的功率密度和效率，降低50%的系统损耗。

2KW钛金级PSU和4KW PFC

用于前端AC/DC功率转换，2KW PSU 电源峰值效率96.2%，整机效率满足钛金能效标准，功率密度远高于Si 方案。满足云计算、人工智能等对数据中心供电单元更高功率密度的需求。

1KW 48V-12V DC-DC模块电源

采用英诺赛科合封产品 SolidGaN ISG3201（集成半桥和驱动器）制成，在效率和体积方面具有最佳性能，功率密度高达2150 W/in3。

此外，Oring，Hotswap，VCore 解决方案也将一并释出，为数据中心全链路氮化镓方案提供高效率、低损耗的参考设计。

InnoGaN in Automotive

汽车行业对氮化镓的反应非常积极，不久前特斯拉宣布将在其电动车应用中减少75%的Si芯片，这对氮化镓而言或许是一个好的信号。英诺赛科现场展示自动驾驶相关的产品及方案。

在汽车电子展区，英诺赛科展示了采用英诺赛科100V低压芯片的激光雷达器，2.4 kW 48V双向DCDC电源模块、1kW 电机驱动、150W车载/笔电车充等方案，全面降低系统损耗，为绿色出行赋能。

激光雷达

采用英诺赛科 100V 氮化镓芯片的激光雷达，反馈速度更快，更精准。

2.4KW 48V-12V双向DCDC

用于轻混、储能的2.4KW 48V-12V双向转换器，Buck满载效率比目前的Si解决方案高1.5%。

150W buck boost

用于车载充电器的高功率紧凑型150W buck boost，有着良好的系统效率与温升表现。

1KW电机驱动

采用三颗英诺赛科合封产品SolidGaN ISG3201（集成半桥和驱动器）制成，设计简洁，体积小，具备优异的散热性能，峰值效率大于99%。

技术分享

作为全球领先的8英寸氮化镓IDM企业，英诺赛科Denis Marcon博士和孔鹏举博士受邀参加了三场学术会议。会议期间，陈敏先生（英诺赛科副总裁）还以会议主席的身份，出席“Hybrid/Switched Capacitor Converters”会议，并进行主持。

3月21日

《基于8英寸硅基氮化镓技术平台开发的高性能GaN开关管》

英诺赛科Denis Marcon博士应邀就“氮化镓市场推广”相关的议题进行演讲，他指出，目前市场对氮化镓的性能及应用已经有较好的了解，但是氮化镓的价格，产能以及封装的标准化问题仍然是阻碍其大规模应用的主要问题。针对这些痛点，Marcon博士重点介绍了英诺赛科在产能及价格上的巨大优势，以及英诺赛科产品在低压和高压端均有标准化封装。他以智能手机市场为例，展示了氮化镓在性能以及可靠性方面的优势，并指出，如此大的市场规模，其所需要的产能目前只有英诺赛科可以满足。

3月22日

《低压集成氮化镓解决方案：将效率和工作频率提升到新水平》

英诺赛科产品线副总裁孔鹏举博士就"氮化镓在低压中的应用"做出了技术报告，他就低压氮化镓产品在推广应用中遇到的问题作出了分析，并给出了英诺赛科就这些问题给出的解决方案。他以英诺赛科最新的100V半桥集成模块ISG3201为例，展示了该产品在易用性及性能方面的优势，以具体的数据和测试结果展示出英诺赛科产品团队在多方面对该产品做出的优化。

3月23日

《应用于轻混电动车的2.4KW 48V-12V双向转换器方案解析》

英诺赛科产品线副总裁孔鹏举博士还针对氮化镓在车载48V-12V变换器中的应用进行报告。该报告瞄准轻度混合动力汽车市场，全方位展示了氮化镓器件在该应用中的优势，以大量测试数据来说明英诺赛科48V-12V变换器的优越性能，并重点指出英诺赛科V-GaN在该应用中相较于硅器件的巨大优势。

英诺赛科首席市场营销官冯雷博士表示：“GaN确实无处不在，正如我们即将在APEC展示的那样。我们将推出新产品，包括SolidGaN系列半桥驱动产品，符合行业标准封装的（DFN、Toll、QFN）TO252和TO220系列产品，打破GaN器件传统封装限制。英诺赛科也正积极推进GaN器件封装的标准化，让客户更加放心，并加快向GaN过渡。”

此次展会，英诺赛科共展示了37个氮化镓应用方案，打造了三大应用场景，将“氮化镓打造绿色高效新世界”的愿景展现得淋漓尽致，在展会上备受瞩目！

关于英诺赛科

英诺赛科是全球领先的GaN IDM高新技术企业，汇集了半导体行业资深的研发与应用团队，致力于第三代半导体硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 研发与制造。我们拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆生产能力，产品设计及性能处于国际先进水平，为客户提供从30V 到700V的高、低压全功率氮化镓芯片。自2015年成立至今，英诺赛科已获专利700多项，累计出货量超1亿颗。产品可广泛应用于消费电子、服务器电源、汽车电子及新能源领域等前沿领域。

英诺赛科，用氮化镓打造绿色高效新世界！

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