制裁又升级，暗触28nm

|分析与思考‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍

3月22日，美国商务部对国际企业在华实体的限制做出调整，三星、SK、台积电等企业在中国大陆的实体可以继续运维，也允许做少量扩建和升级，但其实质对中国半导体的制裁更加严重了。

具体而言，在华国际半导体企业可以为现有产线的运维更换设备，也可以为现有产线扩产、升级。在未来10年内，28nm扩产规模限制在10%以内，先进产能扩产规模限制在 5%以内。升级或扩建的产能至少有85%供应其母国，譬如三星扩产的85%要供应韩国。以上条款还在商议中，未来60天内确定最终版本。

细则分析

美国为了照顾赴美企业在美建厂的积极性，对涉及中国的政策做了部分调整，但都是以伤害中国利益为前提。

第一，在华实体虽然运维可以持续，但升级受限，其结果依然是很快凋亡。半导体技术迭代很快，不能升级很快就过时。尤其存储只有最先进的产品才有最高的性价比，只有最先进的产品才有市场。但技术每年都在进步，如果不能正常做技术升级，就会很快失去市场。此次暂时宽限，貌似“缓期执行”，其实还是釜底抽薪，只是为推动国际企业赴美建厂的权宜之计。此外，这些企业的技术长期不升级，当未来国内企业技术进步之后，就成为直接的竞争对手。由于外企在技术和设备方面有各种便利，而将严重制约中国企业的成长。

第二，制裁在变本加厉。美国政府安抚“盟友”，但又不能被其他政治势力指责“拿美国钱帮中国”，就变本加厉地出台对华不友好政策来“洗白”自己。3月23日，美国刚刚调整在华国际企业的的政策之后，马上将14家中国企业列入“未经核实清单”。两个举措时间如此接近，客观上我们可以将其视为对此次政策调整的对冲，这也说明美国对华制裁只能越来越严厉，不可能会放缓。

第三，通过此次制裁，28nm技术明确进入美国制裁的范畴。此次政策调整貌似是针对国际企业，但顺带将制裁中国半导体的技术红线大幅向前挪了一步。28nm技术在国内广泛应用，被寄予厚望，是我们正在努力实现自立自强的技术，也是信创产业的主打技术。如果继续加大28nm的制裁，将有大量的企业受到影响。此前业内认为28nm是成熟技术，不会被制裁。美国也数次强调不会制裁成熟技术，但这一次明明白白地将其列入制裁之列，说明美国的制裁范围在不断调整，并没有真正安全的技术范围。

思考

首先，我们对此次美国政策调整要头脑清醒，尽管国际企业在华实体暂时可以运维，但随之而来的是对中国半导体更深入的制裁。所以在美国制裁到n的时候，我们要考虑到n+2甚至n+3。制裁的主动权在他们手里，他们制裁哪一个技术节点，我们没有办法改变。制裁刚开始他们还考虑如何损人但利己，随着制裁深入，制裁成瘾，害人害己无所谓。这次美国对国际企业涉及到28nm，未来彻底对成熟技术扣下扳机也不是不可能。所以我们一定要有底线思维，要把形势想得更严峻些，困难想得更严重些。现在他们制裁到28nm，我们不能仅仅着眼于28nm，还要看到45nm，甚至更深的腹地。预则立，不预则废，我们到了推演和预案各种突发的时候了。

第二，随着制裁的深入，国家更加重视半导体产业，各级政府把半导体产业作为重点扶持对象。如何在形势危急，时不我待的关口，做到精准扶持，把有限的资源发挥出最大的效果？我们长期呼吁做大做强“大、平、龙”型企业，这是我们的最优选择。尽管我们要补的课很多，但绝对不能到处撒胡椒面。“大、平、龙”是产业枢纽，有强大的带动能力，纲举则目张，核心企业强大了，才能带动整个产业链条变强，才能查漏补缺，带动整个行业实现自立自强。现在的问题恰恰是太分散，让本就不强产业不断“裂变”。无论国际国内，制造业都是靠龙头企业和做大市场规模才有竞争力。我们要从政策源头坚决扶强扶大，为市场做出导向，告诉市场和各地政府，国家政策是更加聚集，而不是更加分散。以此引导资本和市场向兼备整合发力，实现良性循环，从而做大做强中国半导体。

第三，当地方政府对半导体企业关爱有加时，出现了幸福的烦恼。很多时候地方重视过度，好心办了坏事，支持变成了干预，对产业发展起到了负面作用。地方政府对半导体的重视如何做到帮忙不添乱，重视而不干预？其实也很简单，那就是尊重企业，尊重企业家，相信市场，以企业为发展主体，政府只需做好服务。

结语

总之，随着国际环境越来越严峻，美国制裁会越来越深入，中国半导体的处境会越来越艰难。我们要不惮以用最坏的恶意揣测制裁的疯狂程度。在负和竞争之下，不能期望美国会理性从事，制裁中国半导体对他们而言已经没有什么地方是禁区。现在正是强调底线思维的时候，只有我们把困难想得越彻底，准备做得越充分，才能降低制裁造成的损失。同时，我们要把自己的工作做好，加紧加强扶持“大平龙”企业，这也是底线思维的另一种体现。火车跑得快，全靠车头带。现在形势危急，只有骨干企业尽快强大，整个行业才能被带动起来，中国半导体产业才有战斗力，才有抵抗力，才能让制裁越来越没有意义，才能早日实现中国半导体的自立自强。

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