ASML对光刻机销售留了后手，因为中国或已突破，外媒：挡不住了

在ASML追随美国的脚步停止对中国出售14纳米光刻机之后，其实ASML还留了后手，那就是它表示仍然可以对中国出售28纳米的浸润式光刻机，而这款光刻机其实也可用于14纳米工艺生产，只不过需要多重曝光技术，生产成本较高。

ASML保留的这个后手就是继续对中国出售NXT:1980Di，这款型号的光刻机其实同样属于浸润式光刻机，在数年前其实是属于相当先进的光刻机，台积电不仅将它用于生产14纳米工艺，还用于生产第一代7纳米工艺。

当然将NXT:1980Di用于生产14纳米乃至7纳米工艺仍然需要厂商有很强的技术能力，生产的成本也会较高，而且性能不太理想，当时台积电以这型号的光刻机生产的7纳米工艺表现就不太理想，随后引入EUV光刻机之后生产的7纳米EUV工艺性能得到大幅度提升。

中国的芯片企业用NXT:1980Di生产14纳米和7纳米都是有可能的，目前国内最大的芯片代工企业中芯国际的CEO梁孟松就拥有很强的7纳米技术，梁孟松曾帮助台积电和三星推进7纳米工艺，国内芯片制造企业以这款光刻机推进7纳米也就有了可能性。

ASML继续保留着NXT:1980Di这款浸润式光刻机的销售其实并非好心，它希望这款旧型号的光刻机能继续发光发热，毕竟技术成熟、成本较低，对中国出售的价格恐怕也不会太低，如此它将能由此获得丰厚的利润，更重要的是它可能已认识到中国在浸润式光刻机方面已取得突破。

其实中国的浸润式光刻机早在两年前就已交付样机，据称主要是因为双工作台的稳定性不足导致整体精度不稳定，去年哈工大公布的平面光栅激光干涉仪技术恰恰是为了解决浸润式光刻机的整体精度问题。

近期一家中国手机企业被传出将推出采用国产14纳米工艺生产的5G手机芯片，这或许意味着不仅国产的浸润式光刻机已投产，还解决了14纳米的光刻胶等材料国产化的问题，因为如果采用了美国技术就不能为这家中国手机企业生产芯片。

国产浸润式光刻机的突破可能才是ASML保持着继续供应NXT:1980Di的重要原因，它可能试图借此吸引中国芯片企业采购它的光刻机，而减少采用国产的光刻机，如此一来就能延缓国产光刻机的技术进展。

对于28纳米乃至14纳米和7纳米浸润式光刻机来说，其实技术基本是相通的，只要国产光刻机能量产28纳米浸润式光刻机，纳米解决14纳米、7纳米浸润式光刻机的问题也就快多了，可以说ASML的选择印证了国产浸润式光刻机的重要突破。

ASML的选择证明了中国芯片就需要坚定推进自主研发，只要我们取得突破的技术，海外就会供应乃至降价供应，此前在液晶面板以及当前价格大跌的固态硬盘都证明了这一点，可以说ASML完全就是惺惺作态，中国芯片行业应该更紧密支持国产光刻机产业链，毕竟只有我们的自己技术才能真正掌握在手里，不受他人控制，正如知名院士倪光南所说“先进技术是买不来的、求不来的”。

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