天域、广东光大等第三代半导体项目动工建设

3月17日，广东东莞隆重举行2023年首批重大项目动工仪式，启动天域半导体、光大半导体、比亚迪汽车零部件等60个重大项目建设。

2023年首批动工重大项目中，天域半导体总部、生产制造中心和研发中心建设项目总投资80亿，建筑面积约24万平方米，将建设年产能120万片的碳化硅外延晶片大型生产基地，预计2023年内完成第一期17万片年产能的建设。

资料显示，天域半导体成立于2009年，是我国最早实现第三代半导体碳化硅外延片产业化的企业。近日，公司刚获得近12亿元融资，融资资金将继续用于增加碳化硅外延产线的扩产以及持续加大碳化硅大尺寸外延生长研发投入。

天域半导体项目效果图

广东光大第三代半导体科研制造中心1区，总投资44亿元，占地面积约202亩，建筑面积约19万平方米，建成后主要生产制造2-4英寸氮化镓衬底、2-6英寸GaN on GaN/Si器件、4英寸MiniLED外延芯片。

资料显示，广东光大集团以宽禁带半导体材料为基础，先后成立中镓、中图、中晶、中麒等公司，重点发展第三代半导体产业，已实现氮化镓衬底、芯片、外延片、先进显示等项目产业化。

光大半导体项目效果图

两个半导体项目顺利开工建设，将有助于缓解国内化合物半导体市场的原材料“卡脖子”问题，助力我国新能源汽车、太阳能光伏、新型显示等战略性新兴产业的高质量发展。（来源：东莞市发展和改革局、LEDinside整理）

更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：化合物半导体市场。