总投资1.8亿，一年产8000万片车载智能芯片项目开工
来源:半导体圈子发布时间:2023-03-131383浏览
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1、总投资1.8亿元，浙江平湖年产8000万片车载智能芯片项目开工
图片来源：合美新仓
消息显示，集中开工项目8个，总投资39.3亿元，包括年产1500万米高性能光学级TPU薄膜建设项目、年产3亿平方米光伏封装胶膜建设项目、年产8000万片车载智能芯片项目等；集中竣工项目9个，总投资20.24亿元。
年产1500万米高性能光学级TPU薄膜建设项目由浙江凯阳新材料股份有限公司投资建设，项目位于新仓镇仓庆路南侧、广全公路西侧，计划总投资1.8亿元，用地面积25.4亩，总建筑面积4.15万平方米。购置国内外先进生产设备，项目建设后形成年产1500万米高性能光学级TPU薄膜的生产能力，预计可实现年产值7亿元。
年产8000万片车载智能芯片项目由平湖鼎晟实业有限公司投资建设，项目位于新仓镇金沙路南侧，金穗路东侧，计划总投资1.8亿元，用地面积26.14亩，总建筑面积4.4万平方米。购置国内外先进生产设备，项目建设后形成年产8000万片车载智能芯片的生产能力，预计可实现年产值1.5亿元。（来源：爱集微）
赞助商广告展示2、三星今年上半年量产第三代4纳米芯片
据BusinessKorea报道，三星将于今年上半年开始量产第三代4纳米芯片，将稳定制程早期阶段的良率问题，以及提升性能、功耗和做出面积改进。
三星近日发布的财报显示，三星将于今年上半年开始量产采用4纳米2.3代工艺的芯片。这是三星电子首次提及4纳米后续版本的具体量产时间。与4纳米芯片的早期版本SF4E相比，第二代和第三代产品表现出更好的性能、更低的功耗和更小的面积。
业内人士估计，三星电子的4纳米工艺良率达到60%，而台积电同类型良率可达到70~80%。
不久前，韩媒有消息称，高通将发布的骁龙7+（Snapdragon 7+ Gen 1）处理器将采用台积电的4纳米制程，证明台积电比三星的4纳米制程更高效，三星痛失订单，对其代工制造业务来说是个坏消息。
据悉，目前最先进的半导体工艺技术是3纳米，但主要产品还是4纳米和5纳米芯片。根据市场研究公司Counterpoint Research的数据，截至去年第三季度，4纳米和5纳米工艺占销售额的22%，超过了6纳米和7纳米工艺的16%和16、14和12纳米工艺的11%。
在3纳米方面，半导体行业分析师和专家估计，目前台积电的N3良率可能在60%~70%，最高在75%~80%，第一批的成绩还算不错。相比之下，三星代工厂的3GAE良率在早期阶段从10%~20%不等，废片率高。（来源：爱集微）
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