三星今年上半年量产第三代4纳米芯片

集微网消息，据BusinessKorea报道，三星将于今年上半年开始量产第三代4纳米芯片，将稳定制程早期阶段的良率问题，以及提升性能、功耗和做出面积改进。

三星近日发布的财报显示，三星将于今年上半年开始量产采用4纳米2.3代工艺的芯片。这是三星电子首次提及4纳米后续版本的具体量产时间。与4纳米芯片的早期版本SF4E相比，第二代和第三代产品表现出更好的性能、更低的功耗和更小的面积。

业内人士估计，三星电子的4纳米工艺良率达到60%，而台积电同类型良率可达到70~80%。

不久前，韩媒有消息称，高通将发布的骁龙7+（Snapdragon 7+ Gen 1）处理器将采用台积电的4纳米制程，证明台积电比三星的4纳米制程更高效，三星痛失订单，对其代工制造业务来说是个坏消息。

据悉，目前最先进的半导体工艺技术是3纳米，但主要产品还是4纳米和5纳米芯片。根据市场研究公司Counterpoint Research的数据，截至去年第三季度，4纳米和5纳米工艺占销售额的22%，超过了6纳米和7纳米工艺的16%和16、14和12纳米工艺的11%。

在3纳米方面，半导体行业分析师和专家估计，目前台积电的N3良率可能在60%~70%，最高在75%~80%，第一批的成绩还算不错。相比之下，三星代工厂的3GAE良率在早期阶段从10%~20%不等，废片率高。

（校对/王云朗）