38亿买入+25亿投资，中瓷电子大手笔进军第三代半导体

以碳化硅与氮化镓为代表的第三代半导体市场正如火如荼地发展着，而“围墙”之外的企业亦对此赛道十分看重。近日，中瓷电子资产重组重新恢复审核，其对第三代半导体业务的开拓有了新的进展。

“蛇吞象”式并购，中瓷电子拟38亿买入标的

3月6日晚间，中瓷电子发布公告称，公司于2023年3月3日收到深交所关于恢复审核公司本次重大资产重组的通知。此前，该事项被中止的原因是中瓷电子重大资产重组申请文件中记载的评估资料已过有效期。

中瓷电子还发布了《发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）（修订稿）》。根据该修订稿，中瓷电子拟以发行股份的方式，购买博威公司73.00%股权、氮化镓通信基站射频芯片业务资产及负债、国联万众94.6029%股权。

三大交易标的基本情况如下：

据悉，中瓷电子成立于2009年，2021年在深交所上市。目前，中瓷电子的主营业务为电子陶瓷系列产品研发、生产和销售。

而一旦三大交易标的成功注入中瓷电子，中瓷电子将新增氮化镓通信基站射频芯片与器件、微波点对点通信射频芯片与器件、碳化硅功率模块及其应用业务，业务结构将发生较大改变。

值得注意的是，根据中瓷电子发布的公告，中瓷电子在2022年三季度末的资产总额为188,425.22万元、负债总额为65,459.11万元，也即净资产为122,966.11万元。

而本次交易价格为383,098.68万元，是中瓷电子净资产的3倍有余。中瓷电子以“蛇吞象”的态势，彰显进军第三代半导体的强烈愿望。

募资25亿，加码第三代半导体

中瓷电子还同时宣布拟向不超过35名特定对象发行股份，募集配套资金总额不超过25亿，投向以下项目：

其中，“氮化镓微波产品精密制造生产线建设项目”主要建设以封装测试环节为主的氮化镓微波产品精密制造生产线，项目涉及的具体产品和产能情况如下：

“通信功放与微波集成电路研发中心建设项目”的研发课题包括：5G通信大功率基站用新一代高效率氮化镓射频芯片与器件技术开发、5G通信MIMO基站/Qcell基站用高集成度GaN塑封功放技术开发、射频微波功率器件可靠性技术、面向6G、星链通信用功率器件技术研究、无线通信终端用GaN功率器件技术研究、GaN射频能量芯片与器件技术研究。

“第三代半导体工艺及封测平台建设项目”将在国联万众现有碳化硅功率半导体产线基础上，搭建碳化硅功率模块封测线，建设满足车规级、风力发电、高压电网等应用的SiC功率模块产品生产能力，并不断提高SiC功率模块生产效率，提升产品品质。项目产品涵盖SiC功率模块R1、SiC功率模块R2、SiC功率模块R3和SiC功率模块R4产品。

“碳化硅高压功率模块关键技术研发项目”拟围绕碳化硅高压功率模块关键技术进行研发，制定了3,300V SiC MOSFET芯片窄线条沟槽刻蚀技术研发、3,300V SiC MOSFET芯片栅极氧化技术研发、3,300V SiC MOSFET芯片晶圆减薄技术研发、3,300V SiC高压功率模块封装技术研发四个研发课题，满足3,300V SiC高压功率模块对栅极氧化技术、刻蚀技术、减薄技术和封装技术等方面的要求，最终实现规模化量产的技术目标。

可以看到，若发行股份购买资产及募集配套资金均得以顺利完成，中瓷电子将实现GaN通信射频芯片设计、制造、封装、测试和销售的全产业链布局，并具备碳化硅功率模块的设计、生产、销售能力，第三代半导体业务有望在未来成为公司的长期增长点。

第三代半导体成收购的热门赛道

事实上，除中瓷电子外，近来还有许多企业选择以收购的方式，布局或扩大第三代半导体业务。
2023年3月2日，英飞凌和GaN Systems共同宣布，英飞凌拟以现金8.3亿美金（约合人民币57.27亿元）收购GaN?Systems，双方已就此达成最终协议。在此之前，英飞凌的业务重心以SiC为主；收购GaN Systems后，英飞凌在第三代半导体领域的业务版图变得更加全面；

2023年2月，韩媒报道，韩国LED厂商Lumens已成为氮化镓材料商Soft-Epi的最大股东。据悉，Soft-Epi在2022年5月成功开发了红色GaN外延片，同年6月又宣布Micro LED用红色GaN外延片已量产出货；

2023年1月，美国设备厂宣布收购CVD化学气相沉积外延设备系统厂Epiluvac AB，加速切入SiC外延设备领域，瞄准高速成长的电动汽车市场的发展机遇；

2022年11月29日，国星光电宣布正式完成对风华芯电的股权收购，国星光电也借此顺利实现从硅基封测到第三代半导体封测全覆盖、实现从LED封测向半导体封测的跨越；

2022年10月，荷兰半导体设备制造商ASM宣布已完成对LPE的收购，而LPE是硅基和碳化硅基半导体外延炉设备厂商；

2022年8月，纳微半导体正式宣布收购GeneSiC。据悉，GeneSiC拥有深厚的碳化硅功率器件设计和工艺方面的专业知识，顺利合并后纳微半导体将在下一代功率半导体领域创建了一个全面的、行业领先的技术组合。

对第三代半导体领域优质标的的收购案例数不胜数，这主要是得益于SiC、GaN所拥有的广阔的未来。TrendForce集邦咨询表示，SiC、GaN在800V汽车电驱系统、高压快充桩、消费电子适配器、数据中心及通讯基站电源等领域的渗透率正快速提升。

市场容量方面，TrendForce集邦咨询研究推估，第三代功率半导体产值将在2025年成长至47.1亿美元，年复合成长率达48%。（文：化合物半导体市场 Winter）

更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：化合物半导体市场。