英飞凌8.3亿美元收购半导体元件生产商GaN Systems

美国东部3月2日下午，英飞凌宣布收购氮化镓初创公司GaN Systems，交易总值8.3亿美元。GaN Systems 是开发基于氮化镓的功率转换解决方案的全球技术领导者。公司总部位于加拿大渥太华，拥有200多名员工。

英飞凌首席执行官 Jochen Hanebeck 表示，“氮化镓技术正在为支持脱碳的更节能、更节能的二氧化碳解决方案铺平道路。在移动充电、数据中心电源、住宅太阳能逆变器和电动汽车车载充电器等应用中的采用正处于转折点，导致充满活力的市场增长。基于无与伦比的研发资源、应用理解和客户项目管道，计划收购 GaN Systems 将显着加快我们的氮化镓路线图。按照我们的战略，合并将通过掌握所有相关电源技术进一步加强英飞凌在电源系统领域的领导地位，成为它在硅、碳化硅或氮化镓上。”

GaN Systems 首席执行官 Jim Witham 表示：“GaN Systems 团队很高兴与英飞凌合作，在汇集互补优势的基础上创造高度差异化的客户产品。凭借我们在提供卓越解决方案方面的共同专业知识，我们将以最佳方式利用氮化镓的潜力。将 GaN Systems 的代工走廊与英飞凌的内部制造能力相结合，可以实现最大的增长能力，以服务于在广泛的目标市场中加速采用氮化镓。我为 GaN Systems 迄今为止取得的成就感到非常自豪，并且迫不及待地想与英飞凌一起谱写下一个篇章。作为一家拥有广泛技术能力的集成设备制造商，英飞凌使我们能够充分发挥潜力。”

据了解，GaN Systems成立于2008年，总部位于加拿大渥太华，在英国、德国、日本和美国都设有办公室，是一家无晶圆厂半导体公司。其一流的系统设计可以凸显氮化镓在电源转换和控制应用中的优点。为了克服硅在转化速度、温度、电压和电流方面的限制，该公司开发了适用于各种市场的全套氮化镓功率转化器件。GaN Systems独有的专利技术IslandTechnology®使其比同类产品更小、更高效，且同时克服了成本、性能以及可制造性的挑战。

GaN systems的氮化镓结构如下图：

如图所示，GaN systems的氮化镓器件，解决常开的 增加型氮化镓器件的方法，是在Gate与ALGaN之前，加入一个绝缘栅，使原本常开的横向型器件，变为了一个常闭的器件。这种有点类似MOSFET，加Gate极，引入一个绝缘层去控制 FET的开和关。所以，我们可以看到，这种结构的氮化镓也是电压型驱动的结构。cascode结构的电压型驱动的氮化镓，是通过控制一个小N MOS去控制氮化镓的开关，而P型栅，虽然也是常关的氮化镓器件，虽然也是需要给门极施加一定的电压，但是从本质上看，P型栅是属于电流型驱动的氮化镓。在这一点上，几种结构的氮化镓略微有些区别。

作为一种宽带隙材料，氮化镓通过更高的功率密度、更高的效率和更小的尺寸为客户提供价值，尤其是在更高的开关频率下。这些特性可实现节能和更小的外形尺寸，使 GaN 适合广泛的应用。到 2027 年，市场分析师预计用于功率应用的 GaN 收入将以 56% 的复合年增长率增长至约 20 亿美元。因此，GaN 正在成为功率半导体的关键材料，与硅和碳化硅并驾齐驱，并与新的拓扑结构相结合，例如混合反激式和多级实现。2022 年 2 月，英飞凌宣布投资超过 20 亿欧元在马来西亚居林新建一座前端工厂，以加倍扩大宽带隙，巩固其市场地位。